二极管的特性.ppt

Gulf Semiconductor Ltd. * 反向恢复时间－Trr di/dt标准 Gulf Semiconductor Ltd. * 正向浪涌－Ifsm Ifsm －不可恢复的最大正向电流 Ifsm( tj-max)－不可恢复的最大正向电流(结温条件） I2t－电流熔断值 ＝( Ifsm/ 2 )2*0.01(A2s) Gulf Semiconductor Ltd. * 正向浪涌－Ifsm Gulf Semiconductor Ltd. * 正向浪涌－Ifsm 1，晶粒面积越大，器件Ifsm越大 2，晶片的电阻系数越高时，器件的Ifsm越小 3，器件Vr值越大时，它的Ifsm越小 4，Irsm能力上升时，则Ifsm能力下降 5，Trr越小，Vf越大，Ifsm越小 影响因素 Gulf Semiconductor Ltd. * 正向浪涌－Ifsm 1，交流整流，直流开关整流满足最大浪涌冲击要求 2，根据I2t 合理配置保险装置保护其它器件及线路装置 案例： 在分析客户端产品失效原因时，产品晶粒的表面烧痕，是判定正向浪涌冲击或短路电流的造成失效的主要依据。据此，判定是客户端异常，还是产品的IFSM能力不足。 应用 Gulf Semiconductor Ltd. * 雪崩能量/反向浪涌－ Ersm/Vrsm SCHOTTKY SURGE Gulf Semiconductor Ltd. * 雪崩能量/反向浪涌－ Ersm/Vrsm CONTROLLED Erem TEST Gulf Semiconductor Ltd. * 影响因素： 1，晶粒面积大的，Ersm 较大 2，晶粒电阻系数小(Vr低的）， Ersm 较大 3，GPP表面钝化保护致密度高的， Ersm 较大 4, Trr小的，Vf小的， Ersm 较小 雪崩能量/反向浪涌－ Ersm/Vrsm Gulf Semiconductor Ltd. * 雪崩能量/反向浪涌－ Ersm/Vrsm  应用： 1，不能达到正常浪涌冲击的产品,是有缺陷的产品， 2，反向浪涌冲击较大的线路，阻尼/续流…..(按线路要求） 3，线路装置要求高可靠性时 4，需抵抗输入异常电波冲击时 5，线路工作在高温环境中时 案例：GE GS2M替代SS1M在更换机型时，在作高压3000V可靠性测试时，超大浪涌冲击，产品异常。产品能力与结构有关。 案例：光达电子 SKY 1N5822 产品由于线路的设置，对该产品有很大的冲击，GULF在提高内部浪涌测试条件后，满足了客户的要求。 Gulf Semiconductor Ltd. * 结电容－Cj Gulf Semiconductor Ltd. * 结电容－Cj 一般在整流、开关电源中不予考虑的参数（仅特殊应用时需要） Gulf Semiconductor Ltd. * 热阻－Rthj-a、j-c、j-l Gulf Semiconductor Ltd. * 热阻－Rthj-a、j-c、j-l 影响因素： 1，产品的结构，产品的 材料性质 2，同功率器件，外连接接触面积越大，热阻越小。 3，不同的环境条件，热阻值有不同的变化 Gulf Semiconductor Ltd. * 热阻－Rthj-a、j-c、j-l 应用： 1,输出整流，大功率整流PN结结温计算 2，按PN结结温要求，电流衰降曲线的设计应用。附：曲线图 案例1： 补充不同器件实测热阻值 案例2： Astec, boost diode 热阻计算 案例3： Philips,RGP10J产品在应用中发热，GULF在更改产品的晶粒规格后，解决了客户端产品发热的问题 Gulf Semiconductor Ltd. * 热阻－Rthj-a、j-c、j-l Gulf Semiconductor Ltd. * 热阻－Rthj-a、j-c、j-l 功率曲线衰降图 举例：GE SS1M在4灯机型应用时，产品的高温电流值实际超出电流曲线规定值，当应用环境偏差时，异常的可能增加。 Gulf Semiconductor Ltd. * 静电冲击－ESD Gulf Semiconductor Ltd. * 静电冲击－ESD 影响因素： 1，晶粒电阻系数小，ESD能力稍强 2，PN结结面平整，ESD能力较强 3，B面扩散深度相对较深的，ESD能力较强 Gulf Semiconductor Ltd. * 静电冲击－ESD 应用 1，客户某装置要求ESD测试时 2，测试，组装线的ESD防护 案例：测试，组装线的ESD防护不当时，常发生器件不明原因的失 效； 案例：松下电子对ES1D、