模拟电子技术第3章场效应管及放大电路 (2).pptVIP

3.1　结型场效应管 3.1.1 结型场效应管的结构和工作原理 3.1.2 结型场效应管的特性曲线 3.1.3 结型场效应管的主要参数 第 3 章　场效应管及其基本电路 1. 结构与符号 JFET结构 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 3.1.1 结型场效应管的结构和工作原理 第 3 章　场效应管及其基本电路 2. 工作原理 uGS ? 0，uDS 0 此时 uGD = UGS(off)； 沟道楔型 耗尽层刚相碰时称预夹断。 预夹断 当 uDS ?，预夹断点下移。 JFET工作原理 第 3 章　场效应管及其基本电路 3.1.2 结型场效应管的特性曲线 UGS(off) 当 UGS(off) ? uGS ? 0 时, uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 转移特性和输出特性 第 3 章　场效应管及其基本电路 JFET输出特性 JFET转移特性 3.1.3 结型场效应管的主要参数 1．夹断电压UGS(off) 在标准规定的温度和测量电压UDS值下，当漏极电流ID趋向于零（为10μA或50μA）时，测得的栅源电压称为夹断电压UGS(off) 。 2．漏电流IDSS 在UGS=0（短路）条件下，外加的漏源电压使场效应管的工作于恒流区时的漏极电流，称为饱和漏电流IDSS. 3．击穿电压U（BR）DS 表示漏源间开始击穿，漏极电流从恒流值急剧上升时的UDS值。选用的管子，外加电压UDS不允许超过此值。 4. 直流输入电阻RGS 表示栅源间的直流电阻。由于UGS为反偏电压，所以这个电阻数值很大，一般大于107 ?。 第 3 章　场效应管及其基本电路 5．输出电阻?DS  与晶体三极管一样，表示输出特性上某点斜率的倒数。在恒流区，这个数值很大，通常为几十到几百千欧。在可变电阻区，沟道畅通，其值很小，当UGS=0时，这个电阻被称为场效应管的导通电阻?DS（on）. 6．低频跨导gm 在UDS为规定值的条件下，漏极电流变化量和引起这个变化的栅源电压变化量之比，称为跨导或互导。 除了以上参数外，场效应管还有最大耗散功率PDM，极间电容Cgs、Cgd等，它们的意义与晶体三极管类似。 第 3 章　场效应管及其基本电路