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单晶硅、锗和信息材料? 高纯的单晶硅、单晶锗都是很好的半导体材料，但如果掺杂后得到的掺杂半导体，其性能受掺杂的种类和数量控制，应用更为广泛。 （1）P型半导体 单晶硅是金刚石型结构，每个Si原子的配位数为4，形成4个Si－Si单键，所以每个Si原子的外层有8个电子。如果往单晶硅中掺杂质Ga（镓），由于Ga原子价层只有3个价电子，当它取代了硅原子的位置后，Ga原子外层只有7个电子，其中有一个Ga－Si键只有一个电子，即产生了一个空穴，如图6－8（a）所示。相邻的Si原子价层上电子可移动到空穴，而又留下一个空穴，这相当于空穴在移动。这种由空穴迁移导电的称为P型半导体。 若在单晶硅中掺杂质As（砷），由于As原子外层有5个价电子，当它取代硅原子位置后，成键的As原子外层就有9个价电子，见图6－8（b），多出的一个电子可以激发到导带而导电。这类由电子移动导电的称为N型半导体。 （2）N型半导体 单晶硅和单晶锗都可通过掺杂形成P型和N型半导体。若将单晶硅的一端掺Ga，而另一端掺As，则掺Ga部分形成P型半导体，掺As部分形成N型半导体。N型和P型半导体的结合处称为P－N结，它具有一种特殊的功能，使电流只能单向导通。所以P－N结就是一个整流器，它可将交流电转变为直流电，使电流从P－N结的P区流向N区。利用P－N结可以做成晶体管，P－N－P或N－P－N晶体管都可以将光信号转变为电信号输出，并且还能把光电流放大。把许许多多的晶体管集成在硅芯片上，做成集成电路，它是现代计算机技术、通信技术、遥控技术、自动化技术的基础。 （3）P－N结 本 章 小 结 晶体划分为7个晶系、14种晶格（点阵）。 一. 金属晶体 1．堆积方式 简单立方 A·A 体心立方 AB·AB（A正方形，B 1个原子） 面心立方 ABC·ABC 六方密堆 AB·AB（A六角形，B三角形） （但不同于体心立方堆积的正方形） 2．空间利用率计算 本 章 小 结 (续) 二. 离子晶体 1．常见类型： CsCl、NaCl、立方ZnS、荧石CaF2、金红石TiO2型。 要求掌握 NaCl、CsCl 型。 本 章 小 结 (续) 2．半径比规则：（经验规则） r+ / r- 0.414 → 立方 ZnS型晶体 （C.N. 4:4） r+ / r- = 0.414 ~ 0.732 → NaCl 面心立方型晶体 （C.N. 6:6） r+ / r- 0.732 → CsCl 简单立方型晶体 （C.N. 8:8） 例外：离子互相极化 → 键共价性 ↗ AgI(c) r + / r - = 0.583 预言：NaCl型 实际：立方ZnS型 （C.N. ↘） 本 章 小 结 (续) 三．分子晶体 H2O, CO2, N2, O2, F2 四．原子晶体： 金刚石（C）、硅晶体、金刚砂(SiC)、石英(SiO2) 五．过渡型晶体 石墨（C） 石棉（Ca2SiO4主要成分） 本 章 小 结 (续) 六. 离子极化理论 离子极化力 和离子变形性影响因素及对化合物性质（化学键型、晶体类型、水溶度、颜色、水解能力、酸碱性）的影响。 第9章作业 教材p.225 – 228： 3, 16, 20, 21 思考（不写书面作业）： 7, 15, 17, 22, 23 * * * （二）影响离子变形性因素 3个因素: 离子电荷、离子半径、外层电子构型。 用极化率 ? 表示变形性， ? ↑，变形性↑ 1. 阴离子 （1）简单阴离子： 外层电子构型相同：半径↑，负电荷↑，则? ↑，变形性↑。 例1 F－ Cl－ Br－ I－ rp/pm 136 181 195 216 α 1.16 4.07 5.31 7.90 变形性 小 大 例2 F－ O2- rp/pm 130 140 α 1.16 4.32 变形性 小 大 （二）影响离子变形性因素(续) （2）复杂阴离子 变形性不大，且中心原子氧化数↑，该复杂离子变形性↓。 常见阴离子变形性顺序： 2. 阳离子变形性 （1）外层电子构型相同：Z ?, 变形性?