高效大功率LED芯片关键工艺技术.pptVIP

7、LLO后的晶片短路及严重漏电问题已获得较大程度上的突破（填充技术优化），提高了良品率。 2. 垂直结构功率型LED 2.7 研制过程中的主要技术瓶颈及进展 侧壁保护填充技术 激光剥离良品率95% 2. 垂直结构功率型LED 2.7 研制过程中的主要技术瓶颈及进展 Vf:3.2V@350mA 现阶段主要进展 半年左右时间，完成了封装好的原型LED器件； 光效仍有待提高。 2. 垂直结构功率型LED 2.7 研制过程中的主要技术瓶颈及进展 2. 垂直结构功率型LED 2.7 研制过程中的主要技术瓶颈及进展 7、LLO后的晶片短路及严重的漏电问题已获得较大程度上的突破（填充技术优化）提高了良品率。 Thanks！ 高效大功率LED关键技术 中科院半导体研究所 2008.1.24 正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 垂直结构（薄膜结构）功率型LED A 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 1.1 基本结构设计特点 1.2 关键技术及相关特性分析 (1) 双透明电极与LED光电特性 (2) 条形线阵结构与LED的光电热特性 1.3 测试结果 1.4 结论 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 国家发明专利 200710119473.3，已申请国际专利。 1.1 基本结构设计特点 设计特点： 条形结构（提高器件光学及热学特性） 双透明电极（P、N电极均采用ITO+高反金属膜体系组成） 线阵（多单胞） MQWs Sapphire N-GaN P-GaN ITO ITO Pads Pads A 1.2 关键技术及相关特性分析 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 双透明电极与LED光电特性 高透射光学膜ITO与传统半透明欧姆接触电极NiAu体系相比，透射率高15%左右;与P-GaN, N-GaN形成欧姆接触，比电阻分别为3.4*10-4Ωcm2, 2*10-7 Ωcm2。 采用ITO电极，与传统金属(TiAlTiAu)N电极相比，减少了对光线的吸收。 ITO上覆盖金属膜，采用高反射金属体系，减少了传统后金属电极对来自有源区下方和侧面的光的吸收，提高提取效率。 MQWs Sapphire N-GaN P-GaN ITO ITO Pads Pads A 1.2 关键技术及相关特性分析 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 (2)条形线阵结构与LED光、电、热特性 线阵结构单胞数与Vf和Iv的关系 V（V） 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 0 200 400 600 800 1000 Vf：3.2V@350mA I (mA) A：8 cells B：6 cells C：4 cells A 1.2 关键技术及相关特性分析 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 (2)条形线阵结构与LED光、电、热特性 条形结构侧面积大于传统方形结构，增加了侧面出光。 条形结构具有较低热阻，大电流下波长漂移小。 LED结构 热阻典型值(K/W) 倒装结构 12.83 线阵双透明电极结构 6.77 A 1.3 测试结果—封装白光LED数据 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 编号 光通量(lm) 光效（lm/W） 工作电压（V） 色温(K) 备注 1 77.49 69.84 3.17 5281 自封装 2 81.96 73.41 3.19 4373 自封装 3 80.24 70.98 3.23 4309 自封装 4 80.53 70.8 3.25 5279 自封装 5 80.15 70.91 3.23 5673 自封装 6 80.64 71.56 3.22 5359 自封装 7 79.78 70.8 3.22 5369 自封装 8 79.86 71.08 3.21 5075 自封装 9 80 69.7 3.28 5480 外封装测试 10 76 66.4 3.27 4920 外封装测试 11 77.8 69.5 3.2 5203 外封装测试 12 77.2 67.3 3.28 5155 外封装测试 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 1.3 测试结果—饱和特性曲线 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 1.3 测试结果—老化曲线 加速条件：温度80℃，湿度60%； 老化电流：350mA； 老化时间：1000 hr 蓝光LED光衰7% 白光LED光衰10% 1.正装条形线阵功率型LED关键技术及进展 1.4 结论 正装条形双透明电极LED在光、