集成传感器(包括压敏、磁敏、温敏、光敏传感器).pptVIP

三、集成温控开关 定义：对于简单的温度测量与控制场合而言，通常总是需要温度传感器、信号放大电路、比较器、触发器等一系列电路。这一系列电路多少需要占据一定的空间，同时由于电路的相对复杂性而增加了电路调试的工作量。为此，出现了将测温—比较—控制电路集成为一体的温度测量与控制电路，称作集成温控开关。 AD22105由 Analog Device公司开发，集温度测控于一体。是一个单电源半导体固态温控开关，它在一片集成电路中实现了温度传感器、设置点比较器和输出级的功能组合。 6 脚外接一只预置电阻，可以在-40℃到+150℃的工作温度范围内设置，在环境温度超过所设置的温度点时，电路通过一个集电极开路输出端（2 脚）输出开关控制信号。 温度控制点设置的外接设置电阻接于6脚与接地引脚（3脚）之间，设置电阻Rset由以下公式决定： 其中：RMAX：在TSET下温控点电阻实际的值， RNOM：最接近理论RSET的标称值。 ε：25℃时的电阻精度（通常1%，5%或10%）， Kt：电阻的温度系数。 电路内置一个施密特触发器，使温度控制有大约4℃的迟滞。 芯内置一个可选的200k上拉电阻，可直接驱动一个低功耗LED指示灯。 外形结构小(包括引脚1.75mm×5mm×6.2mm。)可于工业过程控制、热控制系统、 CPU监控、计算机热管理电路、风扇控制、手持/便携电子设备等。 温控点电阻精度和热漂移的影响综合考虑后，可以用以下方程计算：RMAX = RNOM ×(1+ε) ×(1+ Kt×(TSET －25℃)) 5、3 集成磁敏传感器 分类：按工作原理1)根据法拉第电磁感应原理制成的结构型传感器。这种结构型磁传感器只能检测到磁通或磁场的变化率，不能检测磁通或磁强自身量，而且难以小型化。2）利用导体或半导体的磁电转换特性，将磁场信息变换成相应的电信息的物性型磁传感器，物性型传感器既能检测直流磁场，又能检测交流磁场，而且灵敏度高、可靠性好。 按输出功能1）开关型 2）线性型 按工作机构和工艺1）双极型 2）MOS型 一、开关型集成磁敏传感器 1、基本构成 霍尔元件：在0.1T磁场作用下，霍尔元件开路时可输出20 mV左右的霍尔电压，当有负载时输出10 mV左右的霍尔电压。 差分放大器：将VH放大，以便驱动后一级整形电路。 整形电路：施密特触发器把放大器输出整形为矩形脉冲。 输出管：由一个或两个三极管组成，采用单管或双管集电极开路输出，集电极输出的优点是可以跟很多类型的电路直接连接，使用方便。 电源电路：包括稳压和恒流，用以改善集成磁敏传感器的温度性能，提高集成磁敏传感器工作电源电压的适用范围。 2、工作原理 初始状态： B = 0，霍尔元件输出为：VH = VH1 - VH2 = 0。 BGl和BG2管导通， Ic2＞Ic1，输出电压Vb3＞Vb4，BG3优先导通。 由于集电极电流并有如下的正反馈过程： Ic3 ??Vb4??Ic4??Ve3??Vb3??Ib3? ?___________________________| 正反馈?BG3饱和导通、BG4截止?Vc4 ? E?BG5截止?BG6、BG7、BG8截止。 输出三极管输出高电平，即Vc7=Vc8=V0H ?E。 初始状态下施密特触发器BG3和BG4的发射极电位Ve3决定于BG3的饱和电流Ices3和BG3、BG4管共用射极电阻Re，即Ve3 = Ices3Re。 第一次翻转 B ≠ 0，霍尔元件输出为：VH = VH1 - VH2 ＞0。 （Vb1 ?、 Vb2 ?）?（ Vb3?、Vb4?）。 Vb3＝Ve3+0.6V时，BG3入放大状态，并且：Vb3??Ic3??Vb4??Ic4??Ve3? ?____________________| 最终，导致BG4饱和导通而BG3截止，BG4的集电极处于低电位，即： V c4 = Ve4+Vces4 式中：Vces4为BG4的饱和压降。 Ve4=Ices4Re ， Ices4 即BG4饱和电流， Re即BG3、BG4共用射极电阻。 结果，电路输出状态由高电平VOH翻转为低电平：Vc7=Vc8+VOL? 0.4V。 BG4饱和导通?BG5导通?BG6导通?BG7、BG8饱和。 电路输出状态由高电平向低电平翻转所需要的正向磁感应强度B称为导通磁感应强度。记为B(H?L)，相应的Vb3值记为Vb3(H