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二输入与非门电路图 二输入与非门版图 题目 1.在集成电路制造工艺中，电隔离的方法有 、 和 。 2.分立双极管是三层二结结构，而集成双极晶体管为 结构，集成NPN管中有个寄生的 管。 本次课主要内容 2.3集成双极晶体管的无源寄生效应 2.4集成电路中的PNP管 2.5集成二极管 2.6SBD和SCT 2.3集成双极晶体管的无源寄生效应 图2.3-1标有无源电阻寄生元件的集成NPN晶体管结构图 寄生电阻的计算方法 发射极串联电阻res：见黑板 集电极串联电阻rcs 基区电阻rb 1.截锥体模型 3.基区电阻rB 的计算方法 图2.3-2标有无源电容寄生元件的集成NPN晶体管结构图 2.4.1横向PNP管 横向PNP管的特点 BVEBO高 β小 频率响应差，fT小 临界电流小Icr (1)横向PNP管β小的原因之一：纵向寄生PNP管 横向PNP管于与寄生管的等效电路图 采取的措施 减小发射区面积与周长之比 和纵向NPN管设计原则相反。 原理：见黑板。 采用窄条形，兼顾最小开孔。 增大结深，埋层工艺 增大结深Xjc 埋层 增大寄生管基区宽度 减小寄生管基区电阻 形成对空穴减速场 横向PNP管β小的原因之二：横向PNP管本身结构上的限制 (2)频率响应差fT小原因： ①平均基区宽度大 ②埋层的抑制作用 ③空穴的扩散系数 ≈1/3电子扩散系数 (3)临界电流Icr 多个PNP管并联提高Icr P+深扩散 其他1.多集电极横向PNP管 多集电极横向PNP管电流关系 其他2:大电流增益的复合PNP管 2.4.2衬底PNP管 2.4.3自由集电极纵向PNP管 优点：高增益宽带宽的PNP管。 缺点：外延层厚度控制较严；工艺步骤较多。 2.5集成二极管 一般集成二极管 集成齐纳二极管 次表面齐纳管 2.6肖特基势垒二极管(SBD)和肖特基箝位晶体管(SCT) SCT 本次课小结 集成双极晶体管的无源寄生效应 PNP管 集成二极管 齐纳管 SBD和SCT 结构 特点和设计注意点 * * Vbc 反 Vbe 反 Vbc 正 Vbe 反 Vbc 反 Vbe 正 Vbc 正 Vbe 正 截止区 反向工作区 正向工作区 饱和区 NPN 截止区 正向工作区 截止区 正向工作区 Vbc 反 Vbe 反 Vbc 反 Vbe 正 Vbc 反 Vbe 反 Vbc 反 Vbe 正 PNP 2.2寄生管对晶体管的影响 C B E N+-BL N+ N+ P N-epi P+ P+ P-SUB rc1 rc2 rc3 rb res 发射极串联电阻res 集电极串联电阻rcs 基区电阻rb 2.3.1集成NPN晶体管中的寄生电阻 L W bL aW T 20 14 10 12 10 10 10 10 10 12 10 14 20 10 10 10 例题P48 2.2 解题过程见黑板 B E rb3 rb2 rb1 C B E N+-BL N+ N+ P N-epi P+ P+ P-SUB 2.3.2集成NPN晶体管中的寄生电容 CjE CjS CjC 2.4集成电路中的PNP管 N+-BL N+ P+ P P P C B E S N-epi P XJC深，ρepi高 WBL限制，寄生效应 N+-BL N+ P+ P P P C B E S N-epi P-SUB 横向NPN管工作在正向工作区 正偏 反偏 正偏 反偏 反偏 反偏 正向工作区 截止 Cjs N+-BL N+ P+ P P P C B E S N-epi P ①横向平均基区宽度不可能做太小 ②发射极的注入效率低 ③表面复合影响大 基区渡越时间长 fT下降 ①增加结深Xjc ②减小LE ③改变掺杂浓度 ④降低有效平均基区宽度 复合管β=βPNP βNPN fT无变化 复合管面积大于PNP管 C B E 无埋层 无寄生PNP管 β,fT大于横向NPN管,小于NPN管 P-SUB 集电极接最负电位 SBD C B E Vsm Id和rs的设计 SBD的结构和击穿电压 *