第四章固体中的扩散2(中科大).pptVIP

又因为 所以 上述解答过程中所做的主要假设有： i.在磷（P）扩散到硅圆片的过程中D的值保持不变； ii.P的扩散是一维扩散。 高斯误差函数表 例题3 Zn2+在ZnS中扩散时，563°C时的扩散系数为3×10－4 cm2/s；450°C的扩散系数为1.0×10－4 cm2/s，求 （1）扩散活化能和Do； （2）750°C时的扩散系数； （3）根据你对结构的了解和活化能大小的数据，请从缺陷扩散的微观机制来推断激活能的含义； （4）根据ZnS和ZnO相互类似，预测D随硫分压而变化的关系。 解：（1）由D=D0exp(-Q/RT)， 有lnD=lnD0-Q/RT ln(3×10－4 )=lnD0-Q/R(563+273.2) (1) ln(1×10－4 )=lnD0-Q/R(450+273.2) (2) 解方程组得：Q=48.9kJ/mol D0=0.34 （2）750度时的扩散系数： D=D0exp(-Q/RT)=0.34exp[-48900/8.314(750+273.2)] =1.08×10-3(cm2/s) （3）从计算的结果看，扩散活化能为48.9kJ/mol，扩散活化能比较小，因此锌的扩散是通过间隙锌进行扩散的。扩散活化能主要为间隙锌离子扩散时引起周围离子的畸变而产生的弹性应变能。 （4）D与硫分压间的关系 由ZnO中氧分压间的关系，得到ZnS中硫分压间的关系 扩散系数与硫分压的-1/4次方成正比，也就是硫分压增加锌的扩散系数下降。 阳离子间隙型 Zn1+xO：看成ZnO与Zn2O构成的固溶体 缺陷反应为： 载流子类型：n型 缺陷与氧分压间的关系 Ionic transport under an electrochemical potential gradient 库仑滴定---氧化物非化学计量的测量 库仑滴定原理如右上图： 外加电压V： 电流为： I-V曲线如右下图： 测量不同温度下的δ和平衡氧压。 V air O2 氧化物样品 I t * Basic features Diffusion is accompanied by reaction or phase transformation. In general, diffusion is rate-determining step while reaction take place instantaneously. For diffusion in binary systems there appear only a series of single phase, one adjacent to another, while mixed phase zone doesn’t appear. Concentrating changes abruptly at phase boundary. The phase boundaries and the width of each phase change parabolic ally with time. Reaction Diffusion dynamics 1. Speed of interface 2. Phase width 例子3：Fe中掺N 例子4：薄膜太阳能电池CIGS CIGS薄膜太阳能电池结构 黄铜矿结构 CIGS薄膜材料的制备方法 真空工艺： 多源共蒸发法 溅射后硒化法 分子束外延法 化学气相沉积 非真空工艺： 电化学沉积 旋涂涂布法 丝网印刷法 喷墨打印法 硒化机理 原位X-衍射实验证明：硒化物反应机理如下，有三种反应过程 (A) CuSe+InSe =CuInSe2 (B) Cu2Se+2InSe+Se=2 CuInSe2 (C) Cu2Se+In2Se3=2 CuInSe2 Journal of Solid State Chemistry 179 (2006) 2394–2415 CuInSe2 phase formation during Cu2Se/In2Se3 interdiffusion reaction Pseudobinary phase diagram of the Cu2Se and In2Se3 system BSE image of Cu2Se/In2Se3 reaction couple annealed at 550 °C for 1.5 h, the