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注入离子分布(高斯型) 注入离子会引起晶格损伤（一个高能离子可以引起数千个晶格原子位移）。 离子注入后需要将注入离子激活。 一个离子引起的晶格损伤 退火前后的比较 离子注入机设备与发展 离子注入机设备与发展 离子注入机设备与发展 离子注入技术(Implant) 姓名：张贺 学号：1081120115 2 基本原理和基本结构 1 综述 3 技术指标 4 应用及结论 1 综述 最早应用于原子物理和核物理研究 提出于1950’s 1970’s中期引入半导体制造领域 2 基本原理和基本结构 基本原理：离子注入（Implant）是一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 “靶” ）而实现掺杂。 注：离子束（Ion Beam）用途 E 10 KeV ，刻蚀、镀膜 E = 10 ~ 50 KeV，曝光 E 50 KeV，注入掺杂 离子束加工方式可分为 1、掩模方式（投影方式） 2、聚焦方式（FIB,Focus Ion Beam） 掩模方式需要大面积平行离子束源，故一般采用等离 子体型离子源，其典型的有效源尺寸为100 ?m，亮度为10 ~ 100 A/cm2.sr。 聚焦方式则需要高亮度小束斑离子源，当液态金属离子源（LMIS , Liquid Metal Ion Source ）出现后才得以顺利发展。LMIS 的典型有效源尺寸为 5 ~ 500 nm，亮度为 106 ~ 107 A/cm2.sr 。 基本结构：离子注入系统（传统） 离子源：用于离化杂质的容器。常用的杂质源气体有 BF3、 AsH3 和 PH3 等。 质量分析器：不同离子具有不同的电荷质量比，因而在分析器磁场中偏转的角度不同，由此可分离出所需的杂质离子，且离子束很纯。 加速器：为高压静电场，用来对离子束加速。该加速能量是决定离子注入深度的一个重要参量（离子能量为100keV量级)。 中性束偏移器：利用偏移电极和偏移角度分离中性原子。 聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。 偏转扫描系统：用来实现离子束 x、y 方向的一定面积内进行扫描。 工作室：放置样品的地方，其位置可调。 基本结构：离子注入系统（传统） 离子注入系统示意图 离子注入系统实物图 2.1 离子源 作用：产生所需种类的离子并将其引出形成离子束。 分类：等离子体型离子源、液态金属离子源（LMIS, Liquid Metal Ion Source ）。 LMIS 的类型、结构和发射机理 液态金属 钨针 针尖的曲率半径为 ro = 1 ~ 5 ?m，改变 E2 可以调节针尖与引出极之间的电场，使液态金属在针尖处形成一个圆锥，此圆锥顶的曲率半径 仅有 10 nm 的数量级，这就是 LMIS 能产生小束斑离子束的关键。 2.2 注入离子浓度分布 离子注入过程：入射离子与半导体（靶）的原子核和电子不断发生碰撞，其方向改变，能量减少，经过一段曲折路径的运动后，因动能耗尽而停止在某处。 离子浓度呈高斯分布。 RP：投影射程，射程的平均值 2.3 退火工艺 离子注入后必须进行退火处理，目的是消除注入损伤和激活杂质。在半导体制造行业通常采用快速热退火 (RTA，Rapid Thermal Annealing )。 轻离子 重离子 退火前 退火后 离子注入 扩散 1 低温，光刻胶掩膜 室温或低于400℃ 高温，硬掩膜 900－1200 ℃ 2 各向异性 各向同性 3 可以独立控制结深和浓度 不能独立控制结深和浓度 离子注入与扩散的比较 一言以蔽之：可控性好 离子注入的缺点 1、离子注入将在靶中产生大量晶格缺陷； 2、离子注入难以获得很深的结（一般在 1um以内，例如对于100keV离子的平均射程的典型值约为0.1um ）； 3、离子注入的生产效率比扩散工艺低； 4、离子注入系统复杂昂贵。 半导体掺杂工艺： 大规模集成电路 固体材料表面改性： 抗腐蚀、硬度、耐磨、润滑 光波导: 光纤传感器 太阳能电池 3 离子注入的应用 NV10-180 NV10-160SD NV10-160 NV10-80 大束流 mA NV6200A 350D 中束流 μA GSD/200E2离子注入机技术指标 1.离子束能量 80KeV 形式：2 - 80KeV（也可选90KeV） 160KeV形式：5 – 160KeV(也可选180KeV) 2.80KeV注入机的最大束流 3.160KeV注入机的最大束流 GSD/200E2离子注入机技术指标 目前最大的几家IMP设备厂商是VARIAN（瓦里安 ）,