半导体器件物理ii必背公式考点摘要.docxVIP

半二复习笔记 MOS结构 费米势：禁带中心能级(EFi)与费米能级(EF)之差的电势表示 表面势：半导体表面电势与体内电势之差，体内EFi和表面EFi之差的电势表示 金半功函数差 P沟道阈值电压注意faifn是个负值 1.3 MOS原理 1. MOSFET非饱和区IV公式 2. 跨导定义：VDS一定时，漏电流ID随VGS变化率，反映了VGS 对ID 的控制能力 3. 提高饱和区跨导途径 4.衬底偏置电压VSB0，其影响 5. 背栅定义：衬底能起到栅极的作用。VSB变化，使耗尽层宽度变化，耗尽层电荷变化；若VGS不变，则反型沟道电荷变化，漏电流变化 1.4 频率特性 1. MOSFET频率限制因素：①沟道载流子的沟道运输时间（通常不是主要的限制因素） ②栅电容充放电需要时间 2. 截止频率：器件电流增益为1时的频率 高频等效模型如下： 栅极总电容CG看题目所给条件。 若为理想，CgdT为0，CgsT约等于Cox，即CG=Cox； 非理想情况即栅源、栅漏之间有交叠，产生寄生电容：①CgdT的L为交叠部分长度 ②CgsT的L为L+交叠部分长度（CgsT=Cgs+Cgsp）。 3. 提高截止频率途径 1.5 CMOS 1.开关特性 2.闩锁效应过程 2.1 非理想效应 1. MOSFET亚阈特性 ① 亚阈值电流：弱反型态：势垒较低→电子有一定几率越过势垒→形成亚阈值电流 ② 关系式： ③ 注：若VDS4（kT/e），最后括号部分≈1，IDsub近似与VDS无关 ④ 亚阈值摆幅S：漏电流减小一个数量级所需的栅压变化量，S是量化MOS管能否随栅压快速关断的参数。 ⑤ 快速关断：电流降低到Ioff所需VGS变化量小。因此S越小越好 ⑥ 亚阈特性的影响：开关特性变差：VGS=0时不能理想关断；静态功耗增加 ⑦ 措施：提高关断/待机状态下器件的阈值电压VT（如通过衬底和源之间加反偏压，使VT增加）、减小亚阈值摆幅 2. 沟长调制效应（VDS↑?ID↑） ① 机理 理想长沟：L`≈L，导电沟道区的等效电阻近似不变，饱和区电流饱和；实际器件(短沟)：L` L ，导电沟道区的等效电阻减小，ID增加, ② 夹断区长度 ③ 修正后的漏源电流 ④ 影响因素 衬底掺杂浓度N 越小?ΔL的绝对值越大?沟道长度调制效应越显著； 沟道长度L越小? ΔL的相对值越大?沟道长度调制效应越显著 3. 迁移率变化 ① 概念：MOSFET载流子的迁移率理想情况下：近似为常数；实际受沟道内电场的影响，迁移率非常数。VGS↑→垂直电场↑→漂移运动的电子更接近于氧化层和半导体的界面→表面散射增强，载流子的表面迁移率μ下降 ② 影响：漏电流、跨导随栅压增加而增加的趋势减缓 4. 速度饱和 ① 概念：E较低时，μ为常数，半导体载流子漂移速度v与沟道方向电场E正比；E较高时，达到一临界电场EC时，载流子漂移速度v将达到饱和速度vSat，使载流子的μ下降 ② 影响：使电流饱和 原因： ③ 易发生情况：短沟器件，U大L小，E大，易达到饱和Ec ④ 考虑速度饱和后的饱和漏源电流 ⑤ 跨导：与偏压、沟长无关 ⑥ 截止频率：与偏压无关 5. 弹道输运 特点：① 沟道长度L0.1μm，小于散射平均自由程 ② 载流子从源到漏运动大部分没有一次碰撞 ③ 高速器件:不经散射的速度大于经历散射的平均漂移速度 非弹道输运特点：沟道长度L0.1μm，大于散射平均自由程；载流子从源到漏运动需经过多次散射；因经历多次散射，载流子运动速度用平均漂移速度表征 2.2 按比例缩小 按比例缩小的参数： 器件尺寸参数（L，tox，W，xj）：k倍 掺杂浓度（Na，Nd）：1/k倍 电压V：k倍 电场E： 1倍 耗尽区宽度Xd： k倍 电阻R（与L/W成正比）：1倍; 总栅电容（与WL/tox成正比）: k倍 漏电流I（与WV/L成正比): k倍 2.3 阈值电压调整 1. 短沟道效应（L↓?VT↓） ① 概念：随着沟长L变短，栅压VG可控空间电荷区仅仅为下方梯形→可控耗尽层电荷占耗尽层越来越少→使得可控Qsd变小，VT下降 ② 影响因素：a.L↓ → VTN↓ b.Na↑ → VTN↓ c. VDS0 → 漏衬n+p反偏压↑ → Qsd↓ → VTN↓ d. VSB↑ → VTN↓（ΔVT绝对值更大，使VT整体减小） 2. 窄沟道效应（W↓?VT↑） 概念：表面耗尽层在宽度方向将存在横向展宽现象→VGS作用下要产生中间矩形和两侧的耗尽层电荷→W越小，相同偏压VG下能用来控制下方矩形部分的电