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第6章 半导体存储器 ? 第一节 存储器概述 ? 第二节 随机存取存储器RAM ? 第三节 只读存储器ROM ? 第四节 存储器与CPU的连接与扩展 §6-1 存储器概述 存储器是计算机硬件系统中必不可少的三大部件之一，计算机程序、原始数据及中间结果等都存放在存储器中。 存储器按照材料可以分为磁性存储器、光学存储器和半导体存储器。 微机中的软盘和硬盘一般为磁性存储器，CD-ROM为光学存储器，光学存储器容量巨大，但改写不便，适于长久保存资料；磁性存储器容量大，读写方便，即使断电亦可长期保存，用于存放用户程序和记录数据. 主板上的存储器条或芯片为半导体存储器。半导体存储器体积小，读写速度快，主要用于存放当前运行程序和数据。 一、存储器的分类 按照存储器的材质划分： 光学存储器 磁性存储器 半导体存储器 按照存储器的位置划分： CACHE存储器——与CPU直接进行高速数据交换的缓冲存储器，缓解高速CPU与内存在速度与容量方面的匹配矛盾，一般为半导体存储器； 内存——内部存储器，主板上的存储器，一般为半导体存储器； 外存——外部存储器，主板外附加的存储器，一般为磁存储器和光存储器。 按照存储器的作用划分： 主存——主要存储器，实指内存； 辅存——辅助存储器，实指外存。 四、 半导体存储器芯片的结构 存储体 每个存储单元可是1位结构或8位字节结构； 每个存储单元具有一个唯一的地址； 存储器的存储容量＝2M×N （bit） M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 片选和读写控制逻辑 片选端CS或CE 有效时，可以对该芯片进行读写操作； 输出OE 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线； 写WE 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线。 §6-2 RAM 存储器 二、SRAM的引脚信号 数据总线信号：D0~D7； 地址总线信号：A0~An； 读写控制信号： 片选信号CS (Chip Select)或芯片允许信号CE (Chip Enable)：当存储器模块由多个RAM芯片组成时，用来选择应访问的存储器芯片； 输出允许信号 OE(Output Enable)； 写允许信号WE (Write Enable) 。 三、SRAM的读写时序——以6264为例 四 SRAM的连接和使用－以6264为例 全译码的特点 所有地址线均参与译码； 低位地址线对片内存储单元进行译码（片内译码）； 高位地址线对存储芯片进行译码（片选译码）； 存储单元的地址是唯一的，不存在地址重叠； 译码电路比较复杂。 部分译码—存储器的地址范围? 部分译码 只有部分高位地址线参与对存储芯片的译码； 每个存储单元将对应多个有效地址（地址重叠），但使用其一即可； 可简化译码电路的设计； 线选译码 只用少数几根高位地址线进行芯片的译码，且每根负责选中一个芯片； 构成简单，但地址空间严重浪费； 必然会出现地址重叠，一个存储单元会对应多个存储地址； 设计实践 设计一块用于IBM-PC机(8088CPU)的内存扩展卡，扩充容量为64KB，采用SRAM6264芯片，存储地址为B0000H ~ BFFFFH，试设计电路原理图。 五、动态存储器DRAM简介 ??? DRAM与SRAM的不同在于，DRAM是利用MOS管栅源间的极间电容来存储信息的。当电容充有电荷时，称存储的信息为1，电容上没有电荷时，称存储的信息为0。 由于电容上存储的电荷不能长时间保存，总会泄漏，因此必须定时给电容补充电荷，这个过程称为“刷新”或“再生”。 DRAM具有电路简单、集成度高、体积小等优点，在通用微机系统中广泛应用。但是，DRAM的最大缺点是需要定时刷新，并为实现定时刷新要配备复杂的外围电路，因而在单片机等小系统中极少使用。 为了简化DRAM的使用，目前出现了集成动态存储器 iRAM，它将DRAM及其刷新电路集成到一个芯片中，使得DRAM的使用可以象SRAM一样简单。 §6-3 只读存储器ROM ROM存储器的分类较多，有ROM、PROM、EPROM、EEPROM。 EPROM存储器的使用分为三步： 擦除——用紫外线照射15分钟左右即可，擦除干净后，每个位单元的内容为‘1’，或每个字节单元的内容为‘FFH’。 固化（或编程）——用专用的编程工具将程序的机器代码写入到EPROM芯片中去，写入时间通常为几秒钟到几十秒钟。 工作——将EPROM芯片插入目标系统板，通电运行，此时，EPROM中内容只能被CPU读出。 EPROM的基本存储电路由一个浮置栅MOS管T2 （FA