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5G时代的GaAs衬底机会.docx 17页

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目录索引 一、PA 器件及衬底:5G 基站、终端对 PA 需求大增、GaAs 衬底或迎来更大市场空间. 5 (一)PA 器件:17-23 年 5G 基站、终端 PA 需求 CAGR 或达 7%,性能要求提升 5 (二)PA 衬底:迁移率和禁带宽度要求更高、GaAs 等或挤占 Si 基衬底市场份额. 7 二、GaAs 长晶工艺:制备高纯单晶为组件制造首要环节、直拉法占据 90%市场份额.. 10 (一)从晶体到组件:制备高纯半导体单晶为组件制造的首要环节 10 (二)GaAs 长晶工艺:直拉法占据 90%市场份额 10 三、GaAs 市场格局:海外厂商垄断 PA 和 GaAs 衬底市场,国产替代空间广阔 15 (一)全球:PA 及 GaAs 单晶衬底均被少数厂商垄断,CR3 分别为 93%和 95% . 15 (二)国内:射频器件用半绝缘 GaAs 衬底尚未规模化、国产替代空间广阔 16 四、投资建议:5G 时代 GaAs 衬底需求提升、国产化替代空间广阔 18 五、风险提示 19 图表索引 图 1:5G 高频、高速特质驱动 PA 等射频组件性能提升、数量倍增 6 图 2:2018~2023 年,全球射频前端市场规模预计将以年复合增长率 16%持续高速增长 7 图 3:预计 2017-2023 年全球射频前端 PA 市场容量将由 50 亿美元增加至 70 亿美元,CAGR 达 7%左右 7 图 4:Si-LDMOS 制程的功率器件无法满足超过 3.5GHz 以上高频段的工作要求. 8 图 5:面向 5G 应用,GaAs、GaN 基器件未来将逐步挤占 Si 基器件的市场份额. 8 图 6:制备高纯半导体单晶为组件制造的首要环节 10 图 7:水平布里奇曼法(HB)装置示意图 12 图 8:液封切克劳斯基法(LEC)装置示意图 12 图 9:蒸气压控制切克劳斯基法(VCZ)装置示意图 13 图 10:垂直布里奇曼法/梯度冷凝(VGF/VB)示意图 13 图 11:VGF 法生长 GaAs 单晶的市场份额达 63%,是当前主流 GaAs 单晶生长工艺 14 图 12:美国 Skyworks、Qorvo 和博通(Avago)在 PA 领域的市场份额分别达 43%、 25%和 25% 15 图 13:日本住友电气、德国费里伯格和美国AXT 占据了 95%以上的 GaAs 单晶衬底市场份额 15 表 1:第一代、第二代、第三代半导体物理性能参数对比 7 表 2:Si-LDMOS、GaAs 和 GaN 半导体材料性能及应用场景差异 9 表 3:GaAs 晶体生长技术对比 13 表 4:全球 GaAs 单晶衬底龙头均以VGF/VB/LEC 工艺为主,水平布里奇曼法(HB)已被淘汰 16 一、PA 器件及衬底:5G 基站、终端对 PA 需求大增、 GaAs 衬底或迎来更大市场空间 (一)PA 器件:17-23 年 5G 基站、终端 PA 需求 CAGR 或达 7%,性能要求提升 基带和射频模块是完成 3/4/5G 蜂窝通讯功能的核心部件。典型射频模块(RF FEM)主要包括功率放大器(PA)、天线开关(Switch)、滤波器(SAW)等器件构成,其中功率放大器PA占据着射频前端芯片较大的市场份额。5G时代渐行渐近,其高频、高速、高功率特点将驱动功率放大器以及其半导体材料的性能较4G时代进一步提升。 1、性能:5G高频、高速特质驱动PA高频和功率等性能提升 3GPP (Third Generation Partnership Project,第三代合作伙伴计划)将5G的总体频谱资源划分为两个频段,即FR1和FR2。FR1为450MHz~6GHz,因此也被称为Sub6G频段,是5G主频段;FR2为24GHz~52GHz,又被成为毫米波频段,是5G扩展频段。相较于主要频段分布于3GHz以下的2G、3G和4G,5G频谱向频谱资源更 为丰富的高频段延伸,这也就要求功率放大器等射频组件在高频下具有较高的工作 性能和效率。 3GPP将5G网络特点归纳为极高的速率(eMBB场景)、极大的容量(mMTC 场景)以及极低的延时(URLLC场景)。以速率为例,5G将实现1Gbps以上的速率, 为4G LTE Advanced的10倍以上。同时,从通信原理来看,无线通信最大信号带宽约在载波频率的5%左右,即载波频率越高,其可实现的信号带宽也就越大。5G的 Sub6G频段常用载波带宽为100Mhz、多载波聚合时可达200Mhz;而毫米波频段常用载波带宽是400Mhz、多载波聚合时可到800Mhz。因此,5G高峰值速率以及宽频带等特点要求功率放大器等射频组件具有更高的功率表现和工作效率。 2、数量:5G基站、终端对PA需求大增、17-23年CAGR

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