集成电路设计CADEDA工具实用教程2-基准源、噪声、开关电容设计及验证.pptVIP

* */96 PSS仿真参数设置 （1）在Fundamental Tones框中，Cadence会找到电路中的大信号激励源，并计算出Beat Frequency 和 Beat Period。在本例中，它将找到的是控制开关状态的时钟信号。 （2）在Output Harmonics 框中，需要填入谐波个数。所谓谐波，是相对于（1）中计算出的Beat Frequency 而言的。若填入0，则不考虑谐波的影响。 * */96 PSS仿真参数设置 （3）在Accuracy Defaults （errpreset）中，设置的是仿真所要求的精度。 （4）Additional Time for Stabilization（tstab）中填入的是假定的电路达到稳定工作状态的时间。一般而言，根据仿真经验，开关电容电路在若干个时钟周期之后都可以达到稳定状态。为保险起见，一般取时钟周期×10 以上为佳。 * */96 PXF仿真设置 （1）PSS Beat Frequency 为不可写形式，这是因为它是在PSS仿真中已经设置该频率了。 （2）Sweeptype分为absolute和relative两种。absolute即实际频率值，而relative是相对PSS Beat Frequency而言的。 * */96 PXF仿真设置 （3）Frequency Sweep Range有两种方式，分别为Start－Stop和Center－Span。Sweep Type选项，可选Linear方式，扫描点数设为1k。 （4）Add Specific Points 可以加入所要分析的若干个特殊点。 * */96 PXF仿真设置 （5）Sidebands设置扫描频率的边频带。它以Beat Frequency为基数。例如只需分析0到4kHz电路的频率响应，就把它设为零 （6）Output 最后选择输出端。由于要分析的是频率响应，可选电压。其中Positive Output Node必须选择，而Negative Output Node一般默认为地电平。 * */96 PXF仿真结果 仿真幅值响应 理论幅值响应 * */96 电源抑制比仿真 在电源电压上加入交流小信号，仿真基准源电压输出与电源上交流小信号的比值，即电源抑制比。 电源噪声频率范围 一般是50kHz到50 MHz，所以扫描频 率也选择这个范围 * */96 基准源版图设计 采用全定制方法进行版图设计，把串扰、失配、噪声等的影响降低到最小。 采用精度较高的多晶硅电阻，在电阻的版图设计中尽可能采用“等比例复制”方法。 在电阻设计中尽可能使用完全相同的 电阻条，采用并联和串联的方法实现 阻值。同时，相邻两个电阻条的连接 使用铝条互连结构，避免使用弯角， 避免转角误差。加入DUMMY电阻。 电阻版图 * */96 基准源版图设计 绘制PNP版图时，也要采用“等比例复制”方法。 对于非常宽的晶体管，可采用折叠栅极的方法，节省面积，并减小工艺误差。 对于对管设计，可采用交叉互补结构，提高匹配精度。 PNP版图 “交叉互补”对管设计 * */96 CMOS集成电路 噪声分析及仿真 集成电路噪声分析及仿真 * */96 噪声 噪声是一个随机过程，它限制了一个电路能够处理的最小信号电平； 噪声的表示方法: 噪声谱 也叫能谱密度PSD（power spectrum density） 噪声单位是 或 ，表示单位Hz的噪声功率 噪声分类： 相关噪声，幅度相加 非相关噪声，平均功率相加 * */96 电阻热噪声 产生机理：导体中的电子的随机运动尽管平均电流为零，但是它会引起导体两端电压的波动 热噪声是白噪声，与频率无关 热噪声谱与绝对温度成正比; * */96 MOS噪声 MOS热噪声 MOS闪烁噪声 （1/f噪声） MOS噪声简化模型 * */96 MOS热噪声 MOS管的热噪声源主要由沟道贡献的 长沟道MOS器件的热噪声可等效为一个跨接在源漏两端的电流源 系统的噪声功率和系统信号的输入位置是无关的 一般等于2/3 * */96 MOS闪烁噪声 产生机理：在栅氧和沟道界面上存在悬挂键 ，当电子通过这个界面时，会被随机地吸附和释放，从而影响沟道电流，产生闪烁噪声。 表示方法：等效为与栅极串联的电压源 闪烁噪声又称为1/f噪声 * */96 MOS闪烁噪声 闪烁噪声是低频噪声，在高频时没有影响。音频