高压半桥驱动芯片.pdf

3211 高压半桥驱动芯片 概述 特性 3211是一种半桥驱动芯片，内部集成了两个 1 、输出级的高压部分采用电压悬浮的自举 互相关联的输出通道，两个输出驱动信号逻辑相 模式，最大的工作电压可以达到600V 反，用于驱动外部的高压、高速功率MOSFET或 2 、栅极驱动的电压范围10V～20V 绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）从而实现半桥驱 3 、两个输出驱动通道都有欠压保护功能 动。特别是内部的高压驱动通道，采用了电压悬 4 、信号输入端接下拉电阻，再接施密特触发器 浮模式来驱动高电压端的外部功率MOSFET ，在 5、两个输出通道相对于输入的延时完全匹配 工作当中要承受的最高电压达到600V 。输出信号 6、内部死区时间设定 的频率由IN管脚输入的方波信号决定，实现输入 7 、高电压输出端的逻辑和输入信号相同 输出的一致性。两个输出驱动通道就像是能够输 8、绿色无铅产品 出很大电流脉冲的电流缓冲器，而由于两个输出 通道之间有死区时间存在，可以保证两路输出驱 动不会同时导通。 典型应用 up to 600v VCC VCC VB IN IN HO COM VS LO 1 3211 高压半桥驱动芯片 引脚分布 VCC VB VCC VB IN HO IN HO COM VS COM VS LO LO 8 Lead DIP 8 Lead SOIC 引脚功能 管脚名称 描述 VCC 芯片电源电压 Vin 输入信号 GND 芯片地 Vlo 低压输出驱动信号 Vb 高电压输出端的供电电压 Vho 高电压端输出信号 Vs 高电压输出端的悬浮地电压 NC 悬空的管脚 2