集成电路设计CADEDA工具实用教程3-版图绘制及Virtuoso 工具软件.pptVIP

PNP： 一般来说PDK中根据三极管发射极的面积提供了多种可供选择的三极管 * 共71页 * PNP的横截面图 * 共71页 * 电阻： * 共71页 * PDK中的电阻类型比较多，大致可分为三种：扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻。不同类型的电阻其电阻值的取值范围和阻值精度也是不一样的。 扩散电阻 扩散电阻是在源漏扩散时形成，有N+扩散和P＋扩散电阻。在CMOS工艺下，N+扩散电阻是做在PSUB上，P＋扩散是在N阱里。这类电阻器的阻值估算为R＝RSL/W（RS为薄层电阻，L,W分别为电阻器的宽度和长 ），其阻值较大，精度一般。 * 共71页 * 多晶硅电阻 多晶硅电阻结构较简单，分为两种类型，一种用POLY1做阻值区，另一种是用POLY2做阻值区。多晶硅电阻的方块电阻最小,但精度最高,随工艺,电压和温度的变化较小，适合高精度场合使用。 阱电阻 阱电阻就是一N阱条（或P阱条），两头进行N+（P+）扩散以进行接触。其薄层电阻值一般在1-10K欧/方，属高阻。其电压系数和温度系数大，受光照辐射影响也大，但匹配性好，通常可用在精度要求不高的地方，如上拉电阻或保护电阻等。 * 共71页 * 二极管 CMOS N阱工艺中二极管结构一般有两种，一是psub-nwell，另一个是sp-nwell，其中SP即P＋重掺杂，在源漏扩散时形成。SP/N-WELL 二极管存在寄生PNP三极管和较大的串联电阻。 * 共71页 * 设计中常见的问题 找不到相应的Library 原因： 在FTP主文件夹下的“cds.lib”文件中的Library路径不对 该Library并不存在与cds.lib文件中 解决方法 编辑相应的 cds.lib 文件 * 共71页 * 不能打开一个 Cellview或编辑一个Cellview 有的时候你在一个Library中不能打开一个或编辑Cellview，这种情况的发生则说明你并没有权利访问该Cellview。 解决方式： 改变你的访问权利 Library Manager – Edit – Access Permissions form. 使用 UNIX command chmod 来改变你在该Library中的访问权利（用的很少） * 共71页 * 版图中的Layout单元消失了 A cellview often contains instances of cells from other design libraries. If you open a cellview that contains instances of cells from a library that the layout editor cannot find, the following happens: When you try to open the cellview, you see a warning dialog box listing cells that the layout editor cannot find When you close the dialog box, the cellview opens, but each area containing a missing cell displays a flashing box with an X * 共71页 * These ares contain cell instances from a library that the layout editor cannot find. To include the missing cells, - Add the path to the library containing the cell masters to the cds.lib file. * 共71页 * Virtuoso软件及PDK使用演示 * 共71页 * 5、版图设计中的相关主题 Antenna Effect Dummy 的设计 Guard Ring 保护环的设计 Match的设计 Layout的千变万化 * 共71页 * 5.1 Antenna Effect 原因：大片面积的同层金属。导致：收集离子，提 高电势。结果：使氧化层击穿。解决如下： * 共71页 * 5.2 Dummy 的设计 IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证 正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的 图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些 图形为dummy layer。有些dummy layer是为了防 止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如 metal densi