第七章无机材料的介电性能.ppt

介电特性 BaTiO3一类钙钛矿型铁电体具高介电常数。纯钛酸钡陶瓷介电常数室温约1400；居里点(20℃)附近，介电常数增加很快，达6000—10000。下图εr随温度变化比较平坦，制造小体积大容量陶瓷电容器。为提高室温下材料介电常数，添加其它钙钛矿型铁电体，形成固溶体。解决调整居里点和居里点处介电常数峰值，即“移峰效应”和“压峰效应”。 铁电体引入某添加物生成固溶体，改变原晶胞参数和离子间联系，使居里点向低温或高温方向移动，“移峰效应”。目的在工作情况（室温附近）材料介电常数和温度关系尽可能平缓，要求居里点远离室温温度，如加入PbTiO3可使BaTiO3居里点升高。 压峰效应 “压峰效应”是降低居里点处介电常数峰值，降低ε-T非线性，使工作状态于ε－T平缓区。如在BaTiO3中加入CaTiO3可使居里峰值下降。常用压峰剂（或称展宽剂）为非铁电体。如在BaTiO3加入Bi2/3SnO3，其居里点几乎完全消失，显示出直线性温度特性，认为是加入非铁电体后，破坏原来内电场，使自发极化减弱，即铁电性减小。 非线性 铁电体非线性指介电常数随外加电场强度非线性变化。电滞回线非线性。常采用交流电场强度Emax和非线性系数N～表示材料非线性。 非线性影响因素是材料结构。电畴在外加电场下能沿外电场取向，通过新畴形成、发展和畴壁位移等实现。所有电畴都沿外电场方向排列定向，极化达最大值。材料具非线性，电畴在较低电场全部定向，ε-E曲线一定很陡。低电场强度作用下，电畴转向取决900和1800畴壁位移。但畴壁常位于晶体缺陷附近。缺陷区存在内应力，畴壁不易移动。要获强非线性，要减少晶体缺陷，防止杂质掺入。选择主晶相材料，要求矫顽场强低，体积电致伸缩小，以免产生应力。 强非线性铁电陶瓷主要用于制造电压敏感元件、介质放大器、脉冲发生器、稳压器、开关、频率调制等方面。已应用材料有BaTiO3－BaSnO3，BaTiO3-BaZrO3等。 晶界效应 陶瓷材料晶界特性重要性不亚于晶粒本身特性。如BaTiO3铁电材料，由于晶界效应，表现出各种不同半导体特性。 高纯度BaTiO3原料中添加微量稀土元素（如La镧），用普通陶瓷工艺烧成，可得到室温下体电阻率10-103Ω.cm半导体陶瓷。因La3+三价离子，占据晶格中Ba2+位置。每添加一个La3+离子便多余一价正电荷，为保持电中性，Ti4+俘获一个电子。这个电子只处于半束缚状态，容易激发，参与导电，因而陶瓷具有n型半导体性质。 另一类型BaTiO3半导体陶瓷不用添加稀土离子，把陶瓷放真空或还原气氛中加热，使之“失氧”，材料会具有弱n型半导体特性。 利用半导体陶瓷晶界效应，可制造边界层（或晶界层）电容器。将两种半导体BaTiO3陶瓷表面涂金属氧化物，如Bi2O3，CuO等，950-1250℃氧化气氛热处理，金属氧化物沿晶粒边界扩散，晶界成绝缘层，晶粒内部仍为半导体，晶粒边界厚度相当于电容器介质层。制作电容器介电常数达20000—80000。用很薄这种陶瓷材料可做成击穿电压为45伏以上，容量0.5微法电容器。它除体积小，容量大外，还适合高频(100兆赫以上)电路使用。集成电路中很有前途。 反铁电体 锆酸铅（PbZrO3）钙钛矿型结构。具反铁电性材料统称为反铁电体（autiferroelectric）。具较大应用价值有ADP、PbZrO3等，反铁电体与铁电体具某些相似处。如：晶体结构与同型铁电体相近，介电系数和结构相变上出现反常，在相变温度以上，介电系数与温度关系遵从居里一外斯定律。如：相变温度以下，一般不出现自发极化亦无与此有关电滞回线。反铁电体随温度改变虽发生相变，但高温下是顺电相，相变温度以下，晶体变成对称性较低反铁电相。 第五节 压电性 1 压电材料研究进程 1880年就J.居里和P.居里兄弟在石英晶体上首次发现压电效应，在晶体特定方向上施加压力或拉力，晶体一些对应表面上分别出现正负束缚电荷，其电荷密度与外施力大小成正比。具对称中心点群晶体不会具有压电性，在32个点群中，有 21种不具有对称中心。除43点群外，其余20种都具压电性。1881年李普曼（Lippmann）依据热力学方法，推知应有逆压电效应存在。居里兄弟便用实验方法验证这一点。 压电材料发展阶段： 一：发现压电效应（188O 年）起至第一次世界大战间，压电材料未进入实用阶段。 二：第一次世界大战（1914—l915）到第二次世界大战（1940－1945），真正重视压电材料。1916年郎之万（Langevin）用压电石英晶体作成水下发射和接收换能器，并用回波法探测沉船和海底。1921年相继研制成功石英谱振器和滤波器，开创压电晶体在频率控制和通讯方面。1942－1943年，苏联、美国和日本发现BaTiO3，是此间一个重要发现。 三：第二次世