Q_NHTC 005-2019原位合成GaAs、InP、GaP单晶的LEC坩埚.pdf

“ 浙江诺华陶瓷有限公司标准 Q/NHTC 005—2019 原位合成GaAs、InP、GaP单晶的LEC坩埚 2019-04-22发布 2019-05-15实施 浙江诺华陶瓷有限公司 发布 1 Q/NHTC 005—2019 前 言 本标准结合公司实际情况并参考国内外同行的通用规范，以及用户对产 品的要求而修订。本标准在产品自行研发过程中作为规范性技术条款予以实 施。在用户设计需要提供规范性技术条款的过程中可提供参考。 本标准于2019年04月22日发布，并于2019年05月15日实施。 本标准由浙江诺华陶瓷有限公司提出并起草。 本标准主要起草人：曹新华、斯超波。 Q/NHTC 005-2019 原位合成GaAs、InP、GaP单晶的LEC坩埚 1 范围 本标准规定了原位合成GaAs、InP、GaP单晶的LEC坩埚的技术要求、检验规则 和试验方法、检验设置、包装、产品标志等。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注 日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的 修改单）适用于本文件。 GB 10006-1988塑料薄膜和薄片摩擦系数测定方法 ISO-178-2010杨氏模量 GB_T 13841-1992电子陶瓷件表面粗糙度 GB 9531.1-1988电子陶瓷零件技术条件 ISO-527-1-2012拉伸强度 3 结构 原位合成GaAs、InP、GaP单晶的LEC坩埚的结构如下图所示： 4 技术要求 1 Q/NHTC 005-2019 4.1 材料要求 原位合成GaAs、InP、GaP单晶的LEC坩埚采用热解氮化硼材料制造。 4.2 外观 a) 整体形体、外观色泽应与设计样板或设计文件图纸要求一致。 b) 表面不允许有污渍、伤痕、破损 c) 无分层、无阴影、无尘渣、无裂纹、无针孔 d) 无肉眼可见的石墨及不纯物 e）抛光面应无明显丝纹、桔皮变色，不允许有2个以上长径大于0.5mm的 瘤泡，表面粗糙度按GB_T 13841-1992规定，Ra值不得大于0.4µm。 4.3 规格尺寸 尺寸严格按照图纸规定，尺寸精度≤±0.2mm。 4.4 摩擦系数 小于0.1 4.5 抗张强度(力|| “C”)N/mm2 112-143.55 4.6 杨氏模量 （Gpa） 10-20 5 试验方法 5.1 外观 用强光手电目测 5.2 尺寸测试 用精度0.01mm游标卡尺或直尺测量。 5.3 摩擦系数 两试验表明平放在一起，在一定的接触压力下，使两表面相对移动，记录所 需的力 5.4 抗张强度(力|| “C”)N/mm2 2