国家标准《多晶硅》（讨论稿）.doc

GB/T ××××—×××× GB/T ××××—×××× PAGE 4 PAGE 5 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发布 ××××-××-××实施 ××××-××-××发布 多晶硅 Multi-crystalline silicon （讨论稿） GB/T ××××-×××× 代替 GB/12963-2009 中华人民共和国国家标准 ICS 29.045 H 82 GB/T ××××—×××× GB/T ××××—×××× PAGE PAGE 6 前 言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/12963-2009《硅多晶》，本标准与GB/12963-2009相比，主要有如下变动： ——增加引用下列国家标准： GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法 GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质； ——引用标准SEMI MF1723 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的标准规程替换ASTM MF1723； ——增加了技术参数，如对施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、表面金属杂质浓度、基体金属杂质浓度的等级要求； ——碳浓度由<1.5×1016at cm3，<2×1016at cm3，<2×1016at cm3修订为<1×1016at cm3，1.5×1016at cm3，2×1016at cm3； 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准起草单位：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/12963-1996、GB/12963-2009 硅 多 晶 范围 本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验方法 GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法 GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 GB/T 13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法 GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 SEMI MF1723 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的标准规程 术语 GB/T 14264规定的及以下术语适用于本标准 氧化夹层（Oxide lamella） 硅多晶横断面上呈同心圆状的氧化硅夹杂。 要求 4.1 产品分类 4.1.1 产品按外形分为块状硅多晶和棒状硅多晶，根据纯度的差别分为3级。 4.1.2 硅多晶的牌号表示为： Psi—□—□ 阿拉伯数字表示硅多晶等级 英文大写字母表示硅多晶形状，I表示棒状，N表示块状 表示硅多晶 4.2 技术要求 4.2.1 等级 硅多晶的等级及相关技术要求应符合表1的规定。 表1 项目（一） 多晶硅等级指标（一） 1级品 2级品 3级品 基磷电阻率（Ω·cm） ≥500 ≥300 ≥200 基硼电阻率（Ω·cm） ≥3000 ≥2000 ≥1000 n型少数载流子寿命（μs） ≥500 ≥300 ≥100 碳浓度（atoms/cm3） <1×1016 <1.5×1016 <2×1016 氧浓度（atoms/cm3） ≤1×1017 ≤1×1017 ≤1×1017 项目（二） 多晶硅等级指标（二） 1级品 2级品