国家标准《硅多晶》编制说明.docVIP

PAGE PAGE 3 硅多晶 编制说明 预审稿 2012.7 《硅多晶》产品标准编制说明 任务来源及计划要求 1. 任务来源 根据中国有色金属标准化技术委员会有色标委[2011]23号文件的任务要求，委托东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司对修订GB/T 12963-2009《硅多晶》产品标准进行修订，有研半导体材料股份有限公司和四川新光硅业科技有限公司参与修订，要求在2013年内完成。 2．修订单位概况 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司（以下简称“东方峨半”）主要从事多晶硅、单晶硅、高纯金属和硅片加工等半导体材料的生产和技术研究，目前已发展成为在中国半导体材料行业集生产、科研、试制于一体的国有大型科技型企业，是国内重要的硅材料和高纯金属供应商之一，年产硅材料2200吨、高纯金属15吨。研究所是国家242所重点科研院所之一，科研创新成果丰硕，历年来共承担完成国家级和省部级重点科研课题近300项，其中有75项成果获得省级以上科技进步奖，在中国半导体材料行业具有重要影响。 同时峨嵋半导体材料有限公司检测设备齐全，拥有原子发射光谱仪、等离子发射光谱仪、原子吸收光谱仪、紫外分光光度仪、极谱仪、气相色谱仪、等离子质谱仪、辉光放电质谱仪等多种微量、痕量分析仪器，产品分析检测体系完善，具备完成多种高纯元素材料分析检测的能力，并多次主持和参与国家及行业有关标准的制定和修订。 二、修订过程 1. 产品标准修订原则 《硅多晶》产品国家标准包括三方面要求，一方面新标准应力求达到较先进的标准水平，满足和保证行业应用的技术发展需要，另一方面也应结合我国材料工业实际生产水平，同时根据产品使用者的意见反馈，正确兼顾好彼此之间的关系，追求技术的先进性、指标的合理性和严谨性的统一。 本标准在制定中主要遵循以下原则： 科学性和技术先进的原则； 可行和严谨的原则； 2. 工作分工 根据标准在修订中遵循的原则，项目小组为保证其科学性、严谨性、先进性做了如下分工： 调研硅多晶行业的生产概况及工艺技术水平 调研硅多晶痕量分析水平 调研硅多晶产品标准 3. 主要工作过程和工作内容 2011年，在中国有色金属标准化技术委员会组织下，成立了以峨嵋半导体材料有限公司为主的标准修订小组。在公司主管领导的关心支持下，修订小组随即开展了有关资料、信息收集和调研工作。标准修订小组经过认真调查、分析国内外硅多晶生产技术及分析检测手段，在综合研究、分析、整理数据的基础上，对技术要素、性能指标等进行了修改。于2011年11月完成《硅多晶》产品国家标准的讨论稿。并于2012年4月在苏州进行了讨论。 三、标准修订的主要内容 3.1增加的部分 3.1.1 3.1.2 在硅多晶尺寸范围中增加4.2.2 3.1.3 3.2 删除部分 3.2.1 3.3 修改部分 3.3.1把引用文件中SEMI MF1723修改为引用GB/T XX 3.3.2 项目 硅多晶等级指标 区熔级 电子1级品 电子2级品 少数载流子寿命（μs） ≥1000 ≥1000 ≥500 碳浓度（atoms/cm3） <1.0×1016 <1.0×1016 <1.5×1016 氧浓度（atoms/cm3） ≤1×1017 ≤1×1017 ≤1×1017 施主杂质浓度(ppba) ≤ ≤0.15 ≤0.3 受主杂质浓度(ppba) ≤ ≤0.05 ≤0.1 基体金属杂质浓度 (ppbw) Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na 总金属杂质含量：≤1.5 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na 总金属杂质含量：≤1.5 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na 总金属杂质含量：≤2.0 表面金属杂质浓度 (ppbw) Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na 总金属杂质含量：≤10.5 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 、Al、K、Na 总金属杂质含量：≤10.5 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na 总金属杂质含量：≤15 注：1.基体金属杂质和表面金属杂质的分析方法由供需双方协商解决。 3.3.3 把4.4.2 3.3.4 把6.1.2 3.3 3.3.6 把 3.3.7把7.1中块状硅多晶每袋净重为2000g±20g、5000g±50g、10000g± 四、与现行法规、标准的关系 本标准不违反国家现行的有关法律 、法规的规定。 五、参考资料 [1] 《有色金属工业分析丛书》编辑委员会编. 北京：高纯金属和半导体材料分析.北京：冶金工业出版社, 1995. [2] GB/T 12963-2009 硅多晶 [3] GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅 [4] GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质