计算机硬件技术基础 教学课件 作者 谢长生 第03章.ppt

第3章 存 储 器 存储器是用来存储信息的部件，有了存储器，计算机才有了对信息的记忆功能。计算机的存储器可以分为两大类，一类叫内部存储器，通常简称为主存（Main Memory）或内存；另一类叫外部存储器，简称外存或辅助存储器。内存是计算机主机的一个组成部分，它用来存放当前正在使用的、或者经常使用的程序和数据。 3.1 半导体存储器原理 按照制造工艺不同，半导体存储器可分双极型半导体存储器和MOS型半导体存储器两种。在MOS型半导体存储器中，根据存储信息机构的原理不同，又分为静态存储器和动态存储器。因双极型存储器功耗过大，目前的微型机中所使用内存一般都是MOS型存储器。 3.1.1 DRAM的工作原理 DRAM是动态随机访问存储器（Dynamic Random Access Memory）的简称，通常也简称为动态存储器。 1．单管动态存储单元 单管MOS存储电路的工作原理是： （1）写入操作 （2）读出操作 （3）存储状态 2．动态随机存储器DRAM芯片实例 （1）动态存储器读周期 （2）动态存储器的写周期 （3）刷新周期 （4）DRAM的刷新方式 标准的刷新操作通常有三种。 ① RAS刷新（RAS only refresh）：即在这种刷新操作中，只用RAS信号来控制刷新，CAS信号不动作。刷新的动作就是读出一整行，再把它们写回去，而读出的一行数据并不送到外部的数据线上。它的优点是消耗的电流小，但需要设置外部刷新地址计数器。 ② CAS/RAS刷新：即CAS在RAS之前的刷新（CAS before RAS refresh）。这种刷新操作是利用CAS信号比RAS信号提前动作来实现刷新。它使用了DRAM芯片内部的刷新地址计数器作为行刷新地址，每刷新一行就自动将地址计数器加1，实现逐行刷新。 ③ 隐藏刷新（Hidden refresh），隐藏刷新发生在每次读或写操作之后。它也使用内部刷新计数器作为行刷新地址。 （5）DRAM的种类 FPM DRAM，又叫快页内存，在386时代很流行，因为DRAM需要恒定电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失，它的刷新频率每秒钟可达几百次，但由于FPM DRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间需要一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快，另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列的，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。其接口多为72线的SIMM类型。 EDO DRAM（Extended Date Out DRAM）：外扩充数据模式存储器。EDO DRAM与FPM DRAM相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问一个页面，故而速度要比普通DRAM快15%～30%。工作电压一般为5V，其接口方式多为72线的SIMM类型，但也有168线的DIMM类型。EDO DRAM这种内存在486以及早期的奔腾电脑上比较流行。 当前的标准是SDRAM（同步DRAM的缩写），顾名思义，它是同步于系统时钟频率的。SDRAM内存访问采用突发（Burst）模式，它的原理是，SDRAM在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑（一个状态机），利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似于常规的DRAM，也需要时钟进行刷新，可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。 3.1.2 SRAM的工作原理 静态存储器SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机访问存储器，（简称静态存储器）是相对于动态存储器而言的。其特点是，只要加着电，信息就不会丢失，当然，关掉电源，信息也就消失了。而动态存储器即使加着电，如不进行再生，其存放的信息也会很快丢失。因此动态存储器需要周期性的刷新，静态存储器是不需要刷新的。静态存储器具有极高的存储速度，单位面积内具有较低的存储密度，所以，它一般用于对存取速度要求较高，存储容量不太大的场合。 1．SRAM基本存储单元 由6个MOS管组成，其中T1、T2管组成双稳态触发器，T3、T4是节点A和B的引出控制管，T5、T6是负载管。一个存储元存储一位二进制代码。如果一个存储单元为n位，则需要n个存储元才能组成一个存储单元。 存储元电路的基本工作原理： ① 写入操作在字线W（行选择线）上加一个高电位，使T3、T4管导通。若要写“0”，无论该位存储电路原处于何种状态，只需使位线D（列线）电位降为低，经T3管，迫使节点A的电位降低，从而使T2管截止，T1管导通。若要写“1”，需要使位线D降为低电位，经T4管使节