2015建筑材料科学技术奖评审结果.pdf

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2015建筑材料科学技术奖评审结果公示 来源:建材联合会科技部    发布时间:2015年12月07日 摘要 基础研究类二等奖1项;技术发明类4项(其中一等奖2项,二等奖2项);科技进步类17项(一等奖3项,二等奖12项,三等 奖2项);科技公益类5项(一等奖1项,二等奖3项,三等奖1项)。任何单位和个人对公示的项目有异议的,应自公示之日起20日 内以真实身份书面向建材科技奖励工作办公室提出,以便进行核实、查证和异议处理。   2 0 1 5 年度 中国建筑材料联合会 ·中国硅酸盐学会 全国建筑材料科学技术奖评审结果公示    根据《中国建筑材料联合会•中国硅酸盐学会建筑材料科学技术奖管理办法》的规定,现将经评审 委员会评审通过的2015年度“中国建筑材料联合会•中国硅酸盐学会建筑材料科学技术奖”建议授奖项目进 行公示。建议授奖项目27项,其中:基础研究类二等奖1项;技术发明类4项(其中一等奖2项,二等奖 项);科技进步类17项(一等奖3项,二等奖12项,三等奖2项);科技公益类5项(一等奖1项,二等奖 项,三等奖1项)。任何单位和个人对公示的项目有异议的,应自公示之日起20日内以真实身份书面向建材 科技奖励工作办公室提出,以便进行核实、查证和异议处理。建材科技奖励工作办公室按规定对异议人身 份予以保密。   (建材科技奖励工作办公室 联系地址:北京市海淀区三里河路11号中国建筑材料联合会科技工作部  邮政编码100831) 基础研究类 序 项目 建议 主要完成 发 现 点 主要完成人 号 名称 等级 单位 1/10 2015建筑材料科学技术奖评审结果公示 序 项目 建议 主要完成 发 现 点 主要完成人 号 名称 等级 单位 1.采用CFD模拟和实验结合的方法,并根据远平衡态HVPE气相 生长GaN单晶初期表面形貌的演变及相关动力学生长行为,发 现在蓝宝石衬底上外延生长GaN遵循Volmer-Weber生长模式, 揭示了宏观应力-微观原子扩散-外延层生长模式- 晶体质量之间 的关系; 氮化物2.根据位错处晶体不完整性使表面能低于完整晶体而更容易发 半导体生热分解,发现了新的显现位错的方法,利用位错坑和空位阻 材料的断衬底中的位错向晶体中延伸,大大降低了晶体的位错密度; 郝霄鹏、吴拥 制备及 中、张  雷、 1 3.建立了计算GaN 晶体内部应力的理论模型,揭示了衬底厚度 二等 山东大学 其位错 邵永亮、戴元 对GaN单晶应力的影响规律,设计使用具有高热导率和柔性的 和应力 滨、田  媛 金属缓冲层制作减薄-金属键合衬底,减少GaN单晶残余应力; 控制研 究 4.建立了利

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