氧化物薄膜研制中的电子能谱技术!.pdfVIP

实验技术 氧化物薄膜研制中的电子能谱技术! 郭! 沁! 林4 （中国科学院物理研究所! 北京凝聚态物理国家实验室! 北京! 5%%%6% ） 摘! 要! ! 随着科学技术的不断发展，人们正在寻求更新的实用材料- 金属氧化物，包括金属氧化物薄膜的各种实用 材料，在工业界、信息产业界和能源开发等方面的应用前景，早已引起国内外学者的极大关注- 例如，由于氧化物具有 各种特殊的介电和光学性质，研究和开发基于氧化物薄膜的气敏材料非常热门- 如何制备出有实用价值的各种薄膜 材料，是科学家们一直关心和深入研究的课题- 电子能谱技术在各种材料的基础研究和实际应用中起着重要的作用- 本文以有序金属氧化物薄膜研制为例，简要评述了电子能谱技术（包括7 射线光电子能谱（789 ），紫外光电子能谱 （:89 ），俄歇电子能谱（;9 ）和高分辨电子能量损失谱（=?9 ）），以及低能电子衍射（?@ ）等技术在氧化物薄膜 材料制备和表征中的应用- 关键词! ! 氧化物薄膜，薄膜材料，电子能谱，俄歇电子能谱，电子能量损失谱 !#$%’$() (* +#+%’,() -+%’,(-%(. $) ’/+ *0,$%’$() (* ’/$) (1$2+ *$#3- A:B C03D?034 （!#$ #% ’()#*%(+ ,(-*.()*./ 0 *. 1*%2%32 4()). 56/3#73 ，8%3)#)9) *0 56/3#73 ，16#%3 :7(2;/ *0 7#%73 ，!#$ #% 5%%%6% ，16#%( ） !0-’,%’4 4 E1F0G.H I/I2)FG3 H*I2)FGH2G*J )I2(30K.IH 1FI ,0LI/J .HIL MG)( 03 M1H02 FIHI1F2( 13L 03 1**/0IL 131/D JH0H GN O1)IF01/H- PI)1/ GQ0LIH 032/.L03R GQ0LI N0/OH (1SI 1))F12)IL RFI1) 03)IFIH) L.I )G )(I0F H*I201/ *(JH021/ 13L 2(IO021/ *FG*IF)0IH NGF .HI 03 O13J 1FI1H 032/.L03R )(I 03NGFO1)0G3 03L.H)FJ ，I3IFRJ HG.F2IH ，13L HG G3- TGF 03D H)132I ，L.I )G )(I0F H*I201/ L0I/I2)F02 13L G*)021/ *FG*IF)0IH GQ0LI N0/OH 1FI SIFJ 0O*GF)13) O1)IF01/H .HIL 03 R1H HI3HGFH- U3 )(0H FIS0I, U H(G, HGOI IQ1O*/IH GN 1**/021)0G3H GN S1F0G.H )J*IH GN I/I2)FG3 H*I2)FGH2G*J ，032/.L03R 7D F1J *(G)GI/I2)FG3 ，;.RIF I/I2)FG3 ，./)F1S0G/I) *(G)GI/I2)FG3 13L (0R( FIHG/.)0G3 I/I2)FG3 I3IFRJ /GHH H*I2)FGH2G*J ， 1H ,I// 1H /G, I3IFRJ I/I2)FG3 L0NNF12)0G3 )I2(30K.IH 03 GQ0LI N0/O *FI*1F1)0G3 13L 2(1F12)IF0V1)0G3- 5+.6(,2-4 4 GQ0LI N0/OH ，N0/O O1)IF01/H ，I/I2)FG3 H*I2)FGH2G*J ，;.RIF I/I2)FG3 H*I2)FGH2G*J ，I/I2)FG3 I3IFRJ /GHH H*I2)FGH2G*J 体参与反应，并且