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散热设计 辐射散热 T1-高温物体温度 T2-低温物体温度 e-辐射率（无量纲） f-视野系数（无量纲） A-高温物体表面积 σ-斯特凡一玻尔兹曼常数 * 开关电源的热设计 散热设计 散热设计 计算机机箱内的热分布及风冷气流 计算机机箱风冷时的热分布 每超过室温10度，元器件的寿命将下降一半 散热设计 效率 输入输出电压高，容易高效 额定功率大，容易高效 高效的变压器尺寸较大 中小功率范围内，效率很难超越95% 2W以下的功率等级，70%已经很高 CMOS好于TTL 散热设计 散热途径 传导、对流、辐射。 高温 低温 热气上行 散热设计 常用元器件的允许工作温度 元器件名称 表面允许温度 元器件名称 表面允许温度 碳膜电阻 120 瓷介电容 80~85 金属膜电阻 100 玻璃釉电容 100 压制线绕电阻 150 锗晶体管 70~100 涂釉线绕电阻 225 硅晶体管 150~200 纸介电容 75~85 硒整流器 75~85 电解电容 60~85 电子管 15~200 薄膜电容 60~130 变压器、扼流圈 95 散热设计 热阻概念R? Pd Tj R? 自然大气空间 Ta oC / W 热阻＝温度差/热源功率 串并联方法与电阻相同 散热设计 热量单位参数 单位 电模拟 单位 时间t s 时间t s 温度差Td ℃ 电势差Pd V 热阻Rθ ℃/W 电阻R Ω 热导率K W/℃ 电导率 S 热能Pq J 电能P J 热流Q J/s(W) 电流I A 热容量Ch J/℃ 电容C F 散热设计 (1)选用耐热性和热稳定性好的元器件和材料，以提高其允许的工作温度。如选用耐热性能较好的硅三极管取代热性能较差的锗三极管、触点材料尽量以铂银取代铜。 (2)减小电源内部的发热量。为此，应尽量选用小功率执行元件，如用晶体管代替真空管，选用小功率变压器或者不用变压器，多选用微功耗器件并在电路设计中尽量减少发热元器件的数量，选取热负荷时应留有适当的储备量。 (3)用冷却的方法降低环境温度加快散热速度。 在室温下，对热阻的要求不大于30℃／W时, 可不考虑散热问题。 对热阻的要求在5℃／W - 4℃／W时, 可用叉指形散热器散热。 在4oC／W一0.2oC／W时，可用型材散热器。 在1℃／W一0.05℃／W时，可用强制风冷。 在0.1oC／W一0.02oC／W时，可用水冷。 当对热阻的要求低于0.02℃／W时，可考虑用热管. 散热设计的要求 散热设计 一般地，三极管的PC(max) 是在保持管壳温度Ta=25℃不变，Tj达到150℃条件下确定的功耗值，因此可用下式 ℃/W 求出R? 越大，一定结温下Pcmax 散热设计 常见封装外壳的热阻 元件要向大气散发热量， 其热阻是Rc-a ， To-220型热阻为60℃/w， 不采用散热器时，功率封装只能耗散最大功率的5%以下，包括表面贴装时以PCB板散热的情况。 散热设计 常见封装外壳的热阻(续) To-3P为40℃/w， To-3为30℃/w， 散热设计 器件手册里的相关参数 散热设计 传导散热 1、导热体传导(导热定律) K-热导率 A-截面积 L-导热路径长度 散热设计 各种材料的热导率(W/cm·oC) 材料 铝 纯铜 铁 三氧化二铝 热导率K 1.55 3.98 0.59 0.36 材料 塑料 水 空气 硅脂 热导率K 0.005 0.0067 0.00026 0.002 散热设计 传导散热 2、界面传导 hi-界面的热导系数 与光洁度、表面受压大小、填充材料有关 散热设计 接触热阻( )参考数据 R?(C-S) 垫片材料 垫片厚度 接触热阻R?(C-S) (oC/W) 加硅脂 无硅脂 无垫片 铝泊 铜泊 云母 聚酯薄膜 氧化铍瓷片 氧化铝瓷片 氮化硼瓷片 0.02 0.03 0.12 0.02 4.0 1.88 1.5 0.24 0.4 0.60-0.61 0.30-0.31 0.5 0.46-0.49 0.33 0.28-0.30 0.30-0.32 0.8 0.97-1.04 0.65-0.68 1.00-1.16 散热设计 RθJC RDBC Tj Rsolder1 Rheat-sink Tfluid Rfluid Rsolder2 散热设计 器件的热阻等效电路 Pd T