MOS器件的物理分析.pptVIP

有源电阻 1）漏输出，源极交流接地 VGS是固定的，当MOS管的漏源电压大于栅极的过驱动电压时，MOS管工作于饱和区，忽略沟道调制效应时，其阻值为无穷大，但实际阻值应考虑沟道调制效应，可用饱和萨氏方程求出：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　 有源电阻 而当漏源电压小于栅极过驱动电压时，MOS管工作于三极管区，此时的等效输出电阻为： 有源电阻 2）源输出，漏极交流接地 此时栅源电压随输出电压变化，当MOS管工作于饱和区时，其输出电阻为1/gm；而当MOS管工作于三极管区时，其输出电阻值为： 　　 式中的gm为器件跨导，而gd则为器件导纳。且有： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　 所以此时的输出电阻值较小。 有源电阻 总之，当MOS管在电路中作有源电阻时，一般栅接固定电位（接漏是一种特例），这时根据栅电压大小来判定MOS管的工作区域（饱和区与三极管区），另外，输出的端口是源端或是漏端，其呈现的阻抗也不同。 沟道调制效应 在分析器件的工作原理时已提到：在饱和时沟道会发生夹断，且夹断点的位置随栅漏之间的电压差的增加而往源极移动，即有效沟道长度L’实际上是VDS的函数。这种由于栅源电压变化引起沟道有效长度改变的效应称为“沟道调制效应”。 记 ，