mosfet负反馈放大电路(四).docVIP

PAGE I MOSFET负反馈放大电路 1 设计主要内容及要求 1.1 设计目的 （1）掌握MOSFET负反馈放大电路的构成、原理、与设计方法； （2）熟悉模拟元件的选择、使用方法。 1.2 基本要求 空载放大增益10倍，带宽10kHz； 输入电阻，输出电阻； 两级以上放大环节。 1.3 发挥部分 带宽100kHz； 差分式放大输入级； 其他。 2 设计过程及论文的基本要求 2.1 设计过程的基本要求 （1）基本部分必须完成，发挥部分可任选2 个方向； （2）符合设计要求的报告一份，其中包括逻辑电路图，实际接线图各一份； （3）设计过程的资料、草稿要求保留并随设计报告一起上交；报告的电子档 需全班统一存盘上交。 2.2 课程设计论文的基本要求 （1）参照毕业设计论文规范打印，文字中的小图需打印。项目齐全、不许涂 改，不少于3000 字。图纸为A3，附录中的大图可以手绘，所有插图不允许复印。 （2）装订顺序：封面、任务书、成绩评审意见表、中文摘要、关键词、目录、 正文（设计题目、设计任务、设计思路、设计框图、各部分电路及参数计算（重 要）、工作过程分析、元器件清单、主要器件介绍）、小结、参考文献、附录（逻 辑电路图与实际接线图）。 19 - 摘 要 “MOSFET”Metai-Oxide Semiconductor。全名“金属-氧化物-半导体场效应管”信号MOSFET主要用于模拟电路的信号放大和阻抗变换。当MOSFET处于导通状态时，漏源极之间可以看做一个电阻，阻值通常是欧姆或者毫姆。该通态电阻是影响最大输出的重要参数，在开关电路中它决定了信号输出幅度与自身损耗。通态电阻会受到漏极电流、栅源极电压与温度的影响。在设计时，可参考RDS曲线。 虽然在MOSFET的规格书中会给出很多参数，但有五个参数是最重要的：首先要选择合适的封装；第二，要看击穿电压额定值（VDSS）；第三，选择适当通态电阻RDS(on)；第四，要看栅极电荷量QGD，它会影响开关速度；第五，要看栅极阀值电压VGS(TH)，它是刚刚开始形成导电沟道的栅、源极电压。 根据放大电路的特点设计符合的电路图，我通过共源级负反馈放大电路将流出的电压信号进一步进行放大。通过对参数的调节更进一步的达到要求。在经过流入到共源级的输入输出电压反相。所以再改成共集电极，适用于高频电路，保证输入输出电压同相。 关键词 MOSFET，负反馈，共源极，三极管，共射极，共集电极 目录 TOC \o 1-3 \h \u 19052 课程设计任务书 I 677 模拟电子技术 课程设计成绩评定表 III 9739 摘 要 IV 12058 1 设计任务描述 - 1 - 29654 1.1 设计题目：MOSFET负反馈放大电路 - 1 - 6361 1.2 设计要求 - 1 - 22361 1.2.1 设计目的 - 1 - 15794 1.2.2 基本要求 - 1 - 26062 1.2.3 发挥部分 - 1 - 23028 2 设计思路 - 2 - 32318 3 设计方框图 - 3 - 31900 4 各部分电路设计及参数计算 - 5 - 14211 4.1 MOSFET共源极放大输入级 - 5 - 15802 4.1.1 静态分析 - 5 - 15234 4.1.2 动态分析 - 6 - 12626 4.2 MOSFET共源极放大中间级 - 6 - 24858 4.2.1 静态分析 - 6 - 16905 4.2.2 动态分析 - 7 - 8853 4.3 三极管共集电极放大输出级 - 8 - 14932 4.3.1 静态分析 - 8 - 15523 4.3.2 动态分析 - 9 - 14340 4.4 带宽 - 10 - 25124 4.4.1 高频响应 - 10 - 25964 4.4.2 低频响应 - 11 - 4940 5 工作过程分析 - 11 - 27761 5.1 MOSFET共源极放大输入级 - 11 - 23274 5.1.1 直流工作点分析 - 12 - 31543 5.1.2 电压增益 - 12 - 2772 5.2 三极管共射极放大中