060-基于MAGNUM2的DDR2测试方法.doc

PAGE 2 基于MAGNUM 2的DDR2测试方法 摘要：DDR即双倍速率SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)，是一种易失性、高速、动态随机访问的存储器，与SDR SDRAM相比，DDR在时钟的上升沿和下降沿均读取数据，因此数据传输率高。本文简要介绍了DDR2存储器，提出了基于Magnum 2测试系统的DDR2测试方法，对DDR2的直流参数、交流参数以及功能进行了测试，论述了测试的关键技术。 关键词：DDR2，Magnum 2测试系统 1 引言 相对于SDR SDRAM，DDR SDRAM在时钟的上升沿和下降沿均读取数据，因此在同等时钟频率下读取速率翻倍，此外，DDR功耗也有显著的降低。现如今随着半导体技术的发展DDR存储器的工作频率越来越高，DDR存储器已经发展到了4代，最高频率可达4GHz，而且电压更低，在这种情况下，研究DDR存储器的测试日益被重视，国内外有许多团队在对DDR的测试进行研究[1-2]。本文以镁光公司生产的MT47H64M16[3] DDR2存储器为例，对其进行了基于Magnum 2测试系统的测试技术的研究。 2 MagnumII 存储器测试系统[4] Magnum II存储器测试系统是Teradyne公司生产的存储器专用测试系统，每个Site Assembly Board具有64个独立的测试通道结构，每个测试通道均有独立的时序和电平。Magnum II测试系统有着强大的算法向量生成模块APG（Algorithmic Pattern Generator），最大能够支持24bit行选、24bit列选、36bit数据位宽和18个片选。 3 MT47H64M16 DDR2存储器结构 MT47H64M16由存储阵列（memory array）、命令译码器（command decode）、模式寄存器（mode registers）、地址寄存器（address register）、刷新计数器（refresh counter）、行地址锁存器和译码器（row address latch and decoder）、列地址锁存器和译码器（column address latch and decoder）、DQS发生器（DQS generator）、输入寄存器（input register）等组成，如图1所示。 存储阵列由16位的存储单元构成，每个存储单元都有各自唯一的地址，通过地址译码电路选中指定的单元进行操作。存储单元中读取的信号比较弱，因此需要放大器进行放大后再输出。 图1 MT47H64M16 DDR2结构 4 DDR2的初始化 DDR存储器在使用前需对其进行初始化，初始化的主要作用是等待电源稳定和时钟稳定，并对模式寄存器（Mode Register）和扩展模式寄存器（Extended Mode Register）进行配置，设置CL，BL，DLL等相关参数。初始化顺序如下图所示： 图2 DDR2 初始化流程图 5 DDR2直流参数测试 直流参数测试主要包括：开/短路测试（O/S），开/短路测试又称为连通性测试（continuity），通过测试每个引脚内部保护二极管的管压降是否正常来判断引脚的连通性是否正常，一般来说测试时必须先进行连通性测试；输入漏电流（ILIH/ILIL）和输出漏电流（ILOH/ILOL）是在电源电压为0时，输入引脚和输出引脚施加高电平和低电平的电流，该电流表征的是引脚之间的直流阻抗；ICC测试的是芯片工作时消耗的电流，该电流表征的是芯片的功耗；输出高/低电平测试（VOH/VOL）测试的是IO引脚在输出高电平和输出低电平时的电压大小。 6 DDR2交流参数测试 交流参数表征的是芯片的工作性能，一般用搜索法来测试交流参数，下面以在Magnum 2测试系统上测试tAC参数为例来介绍测试机如何进行交流参数的测试，tAC是时钟沿到输出数据有效的时间，该参数越小则芯片响应速度越快。 搜索法的具体思路为假设t0时刻为时钟的上升沿或下降沿，随后在t0+tSTEP进行读数据，如果读取成功，则tAC=t0+tSTEP，如果读取失败则在t0+2tSTEP时读取数据，如此循环直到读取成功为止。搜索法比较简单，tSTEP的大小决定了测试的精度，如果tSTEP设置的比较小，那么测试耗用的时间势必较长。 测试前现将芯片装载到测试座上，见图3。Magnum 2的测试软件[5]是在VC下编写的，文件pin_assignments.cpp中定义芯片的各引脚，并定义引脚与Magnum 2系统测试通道的连接关系，这样就实现了芯片与测试系统的连接。在文件voltage.cpp中定义电源电压、输入高低电平的电压值以及IO引脚的负载电流，文件timing.cpp中定义的是各引脚在每个周期（Cycle）中的波形，文件pin_