IC制造流程 简介.pptVIP

* 正光阻：受光部分经显影后去除。负光阻：受光部分经显影后保留。（SWELLING会增加误差） * 等向 非等向（干蚀刻） * 利用扩散效应通过边界层到溶液里 * I:等向；A：非等向 Erh:水平蚀刻速率 * 平板式：石英炉顶，硅片，石墨覆炭化硅，入气口，射频发生器（电浆），出气口。 六面式：炭化硅基座，射频感应。（PM预防维护烦琐，均匀性差） * 溅轰蚀刻；电浆蚀刻；反应性离子蚀刻 * * 金属矽化物 * * 杂质扩散除了与温度有关亦正比于时间 故减小MOS变形 * 卤化钨加热管 (a) Isotropic Etching：A=0 (Erh=Erv) (b) Anisotropic Etching：A=1 (Erh=0) Isotropic Anisotropic Quartz dome Silicon wafer Silicon carbide coated graphite RF Coil Gas in Gas exit Silicon carbide susceptor Gas exit Silicon wafers RF induction heating coil Dry Etching System - 1 (a) Sputtering Etching (b) Plasma Etching (c) Reactive Ion Etching Ion Reacti