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第2章半导体器件 半导体器件一般呈非线性，是组成各种电子电路的基础。本章首先介绍半 导体的基础知识，然后介绍半导体二极管、半导体三极管和场效应管三种常用的 半导体器件。重点介绍它们的基本原理、特性曲线和主要应用参数，不去深究半 导体物理方面的问题。 2. 1半导体基础知识 2. 1. 1 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。半导体的导电性能是 由其原子结构决定的。常用的半导体材料是四价元素硅 （Si)和锗 （Ge)，两者最 外层轨道上都有4个电子，称为价电子。 1.本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。在本征半导体晶体中，原 子间排列整齐，每个原子的一个价电子和相邻原子的一个价电子组成较为稳定 的结构，称为共价键结构，如图2.1所示。共价键的结合力很强，因此，价电子很 难挣脱共价键的束缚成为自由电子，半导体导电能力很弱。 图2.1本征半导体结构示意图 30 第2章半导体器件 当在热或光的激励下， 少数价电子将获得足够能量，挣脱共价键的束缚而 成为自由电子（这种现象称为$£1^_)。在半导体两端外加电场时， 这些自 由电子将产生定向运动，形成电子电流。由自由电子引起的导电性叫做电子 导电性。 当一部分价电子成为自由电子时，在原来共价键中就出现一个空位，称为空 穴，如图2. 1所示。因空穴是由于缺少一个电子而形成的，相应原子带正电，或 者说空穴带正电。因此，空穴有吸引电子的作用。外加电场的作用， 能使相邻共 价键中的电子迁入空穴，并产生新的空穴。从而形成空穴的定向移动，形成空穴 电流。由空穴引起的导电性叫做空穴导电性。 在本征半导体中，电子与空穴总是同时成对地产生， 成为电子-空穴对。由 于它们所带电荷的极性不同，在外电场的作用下运动方向相反，半导体总电流是 两个电流之和。因此，本征半导体中电子和空穴都参与导电，称本征半导体具有 两种载流子。 本征激发会不断地产生，电子-空穴对也会不断地产生。同时，电子与空穴 相遇就会再次进入空穴，使电子和空穴同时消失， 这种情况称为复合。在一定温 度下，电子-空穴的产生和复合会达到动态平衡，使得半导体中载流子的浓度保 持一定。半导体中载流子的浓度除与本身材料性质有关外，还与温度密切相关。 随着温度的升高，载流子浓度基本上按指数规律增加。因此，半导体具有温度敏 感性，容易制成热敏元件、光敏元件等。 2.杂质半导体 本征半导体载流子浓度低，导电能力弱。在本征半导体中掺入少量的杂质 元素可以大大提高载流子的浓度，其导电性能会发生显著变化。掺杂后的半导 体称为杂质半导体。按掺入的杂质元素不同，可形成N (Negative)型半导体和P (Positive)型半导体。， (1) N型半导体 若在四价本征半导体中掺入少量五价元素(如磷、 砷等），则一个五价原子在 晶格中占据了一个四价原子的位置，如图2. 2所示。它的价电子中有四个与相 邻四价元素的价电子组成共价键，还多出一个价电子不在共价键中。多余电子 受原子核束缚较弱，室温下就能成为自由电子，原五价原子则成为不能移动的正 离子。由于共价键是完好的，所以并不产生空穴。这种五价原子具有提供自由 电子的作用，常被称为施主原子。 31 电子技术基础 图2.2 N型半导体结构示意图 掺人五价元素的半导体中仍然存在本征激发产生的电子-空穴对，但数量很 少。因此，N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度。自由电子被称为多 数载流子 （简称多子），空穴为少数载流子 （简称少子）。在外电场的作用下，N型 半导体中的电流主要是电子电流，掺入的杂质越多，导电性能就越强。 (2) P型半导体 若在四价本征半导体中掺入少量三价元素（如硼、镓等），则因杂质原子只有 三个价电子，它与四个相邻的四价元素能组成•:个共价键，因此出现一个