电子信息材料大型试验课程-分析测试中心.pdf

电子信息材料大型实验课程 半导体工艺实验部分 张旭海 课程 内容 ①硅晶片清洗工艺 ②热氧化法制备SiO 薄膜 2 ③椭偏法测量SiO 薄膜折射率与厚度 2 ④光刻技术与工艺 ⑤ 四探针法测量电阻率 ⑥半导体霍尔效应及变温霍尔效应实验 一、硅晶片清洗工艺 • 为什么需要对硅片严格清洗？ • 如何对硅片清洗？ 硅晶片清洗工艺 试 验 背 景 • 集成电路极高的集成度，要求晶片表面 高度洁净。 • 在硅晶片制备、包装和运输过程中，由 于物理或化学吸附作用，晶片表面会受 到金属离子、有机物、灰尘和颗粒的玷 污。 • 1965年，RCA实验室首创RCA标准清洗 法。RCA法是典型的、至今仍为最普遍 使用的湿式化学清洗法。 各种可能落在芯片表面的颗粒 硅晶片清洗工艺 实 验 原 理 RCA——标准清洗 SC-1 （APM ，Ammonia Peroxide Mixture ）： NH OH(28%):H O (30%):DIH O=1:1:5～0.05:1:5 4 2 2 2 70～80C, 10min 碱性（pH值7 ） 可以氧化有机膜 和金属形成络合物 缓慢溶解原始氧化层，并再氧化——可以去除颗粒 NH OH对硅有腐蚀作用 RCA clean is “standard 4 OH－ OH－ process” used to OH－ OH－ － OH－ remove organics, OH heavy metals and alkali ions. 5 硅晶片清洗工艺 实 验 原 理 RCA——标准清洗 SC-2: HCl(73%):H O (30%):DIH O=1:1:6~1:2:8 2 2 2 70～80C, 10min 酸性（pH值7 ） 可以将碱金属离子及Al3＋、Fe3＋和Mg2＋在SC-1溶 液中形成的不溶的氢氧化物反应成溶于水的络合物 可以进一步去除残留的重金属污染（如Au ） 6 硅晶片清洗工艺 实 验 原 理 RCA清洗流程 化学溶剂 清洗温度 清除的污染物 1 NH OH/H O /H O 80-90 ℃， 有机物, 金属离子, 4 2 2 2 (1:1:5 to 0.05:1:5) (SC-1) 10 min 微尘 2 DI H O 室温 2 3 HCl/H O