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空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究 第六图书馆 氮化钛 空心 阴极 离子淀积半导体学报高玉芝 夏宗璜不详1989第六图书馆 第六图书馆 第 10卷 第 7期 半 导 体 学 报 Vd．-10．No．7 l989年 7月 CHIN ESE JOURNAL OF SEM lCONDUCTORS ,luly． I989 空心阴极离子淀积 TiN薄膜特性研究 高玉芝 夏宗璜 武目荚 张利春 (北京大学微 电于学研究所，北京) 黄济群 张德贤 (北 京 t 具 刃 具 厂) 1988年 {月 29日收到 本文用空心阴极离子 淀积系统 ，在氮和氩的混合气体中淀积了 TiN 薄膜．x射线衍射方 {圭、俄歇 电子谱 (AES)和 电学测量等方法用来研究分析了 TiN薄膜的结构、组分和薄膜电阻 率．该TiN薄膜有很低的电阻率，其 电阻率约为25~／g2cm．A1，TlN／sl金属化系统经 550C、 30分钟热退火后，卢瑟福背散射 (xBs)分析结果表明，没有发现互扩教现象，说明 TiN在硅集 成 电路中是一补 良好的扩散势垒材料． 圭置调：氮化钛 ，空心 阴极离子淀积 一 、 引 言 金属化在 VL$1集成 电路中是一个重要部分，器件和电路的性能和可靠性很大程度 决定于接触材料的性质和金属半导体界面特性 ，常规 和 —si合金金属化系统经热处 第六图书馆 理后 ， 易于对 si衬底产生 “钻蚀 ”从而造成低击穿，对于浅结工艺会造成器件短路．因 此寻求较为理想的接触阻挡层材料是人们十分关心的问题．氮化钛 以具有熔点高、热稳 定性好和 电阻率低等突 出优点而受到人们 El益广泛 的注意 ． 在集成 电路金属化系统 中， TiN 是一种很 好的扩散势垒材料 已得到成功 的应用 “ ． 此外 TiN 薄膜还可做为栅材 料 、肖特基势垒材料 和互连引线 ·”．形成 TiN薄膜的方法很多，例如反应溅射 ’、反 应蒸发以及 Ti的热氮化方法等． 由于金属钛极 易氧化 ，因此用 以上方法淀积 TiN薄膜 时，对淀积系统真空度和气路系统要求很高，否则不易得到导 电性能 良好的TiN薄膜 ．我 们 用空心阴极离子淀积方法淀积 了TiN 薄膜．该方法优点是具有很高 的离化率 ，因而能 在较低的本底真空条件下淀积 出性能 良好的 TiN 薄膜． 本文研 究了不 同淀积条 件 对 TiN薄膜的糖分、结构和 电学性质的影响，以及研究了TiN在集成电路 A|／TiN／Si金属 化系统 中的扩散势垒特性． 国家 自然科学基金部分资助项 目 I北京大学拄东均理箍． 半 导 体 学 报 10卷 二、 实 验 实验采用的空心阴极离子淀积装置如 图 1所示． 阴极 由钽管制做的空心阴极 电子枪组成 ，阳极为坩埚．样品置于阳极的上方，可加僚 压和加热 ． 当工作室真空度为 5× 10 托 时 ，高纯氩 由钽管通人 ，阴极 、阳极之 间加一 电压则产生辉光放 电，氩原子被 电离．当镀