989电力电子装置与电机驱动器手册.pdfVIP

笛—笠 宋—Im 汽车半 导体器件 、组件及传感器 第6章汽车功率半导体器件 Zheng John snen University oi Central rlonda, Orlando, Florida 6.1引言 电 カ电子技术对改进汽车动 カ性、燃油经济性、排放及安全性、舒适性起着越来越重要 的作用。功率半导体器件被广泛应用于汽车电 カ电子系统，并常常决定了这些系统的效率、 成本和体积。有源功率半导体开关如MOSFET和IGBT,常用于电动机(从75kW的交流牵引 电动机到1W的直流电动机） 、电磁阀、点火线圈、继电器、加热器、灯具以及其他汽车负 载的驱动。ニ极管在汽车系统中常用于对发电机产生的交流电流进行整流，为DC/AC逆变 器和DC/DC变换器中的IGBT和MOSFET提供续流路径以及抑制电压瞬变等。现今，每辆 汽车平均拥有超过50个的驱动单元，这些驱动单元往往由功率MOSFET或者其他功率半导 体器件控制。据统计，在2000年，一辆中档乘用车所需要的功率半导体器件成本为100 ~ 200美元，而在电动汽车或混合动 カ汽车中，功率半导体器件的成本要増加3 ~5倍。 尽管功率半导体器件应用广泛，但它们在汽车系统中的使用可分成三种基本结构：低边 开关、高边开关和半桥式开关，如图6-1所示。在低边开关结构中，功率开关位于负载和电 池负极之间，通过打开或关闭电源电路来控制能量流。注意到电池的负极通常连接到汽车底 盘形成了汽车电气系统的地，由于控制端以地为参考点，所以功率开关的控制简单而直接。 在高边开关结构中，功率开关位于负载和电池正极之间，通过打开或关闭电源供应路径来控 制能量流。高边开关结构提供了ー个独特的优势——可以防止因疏忽而导致的负载对地（即 车辆的底盘)短路事件。由于功率开关位于上游，负载短路不会产生在低边开关结构情況下 出现的电池短路这种灾难性的后果。但是，功率开关在髙边结构下的控制复杂度和成本远大 于低边结构，因为这时功率开关的控制端是以负载为参考点而不是以地为参考点。由于打开 和关闭功率开关需要的控制电压高于电池电圧，一种解决方法是采用某些电荷栗或者电平转 换电路，另ー种解决方法是采用互补型功率开关如P沟道M0SFET，这两种情況都会増加元 LOAD SWJ SWiJ mm LOAD SW![j sw2[| L0AD ) a)低边开关 b)高边开关 C)半桥 式开关 图6-1汽车系统中三种基本的开关结构：低边、高边和半桥式开关 第6章汽车功率半导体器件 103 器件的成本。半桥结构用于构成H桥或三相桥式电路。H桥电路通常用于直流电动机的双 向控制和单相DC/AC逆变器，三相桥式逆变器则应用于电动驱动和电动助力转向电动机的 控制。 ー个理想的功率半导体开关应具有以下特点： ① 关闭时能阻隔正向或反向高电压； ② 导通时允许大电流通过； ③ 瞬间完成开关操作，没有开关损粍； ④ 易于控制； ⑤ 坚固可靠； ⑥ 开关动作时电磁辐射低； ⑦ 成本低。 但实际上没有一个半导体器件具备所有这些理想特性。在实际运用中，在特定的电压、 电流和开关频率范围内，会有一种或几种类型的器件特性非常接近这些理想特性。正是这些 实际器件与理想功率开关的偏差，即非理想特性，在本质上决定了电 カ电子系統的性能和成 本效益。所有实际功率半导体器件的工作状态都受到被定义为器件工作范围的一系列额定值 的限制，这些限制的额定值包括最大正向和反向电压，最大峰值电流和连续电流，最大功率 损耗和器件最大结温。