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2019-10-28 发布于湖北
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束流加工的模拟计算.pdf

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束流加工的模拟计算方法幸研东南大学机械工程学院 FIB加工过程中的效应再沉积离子束扫描造成的宽深比效应和加工图案密度效应；离子入射剂量，不 • 背向散射、离子注入同驻留时间，扫描方式工艺参数对结 • 溅射、二次沉积及二次溅射构影响； • 化学反应 Philipp M Nellen EFUG2004 入射离子束背景（如30keV 镓离子 FIB溅射刻蚀和气体辅助刻蚀的三维光子和电子发二次溅射射二次沉积工艺模型，考虑束流大小、停留缺陷和原子错溅射位间和扫描路径工艺参数。离子引发的化学反应离子注入三维元胞自动机算法，模拟FIB加工中的表面轮廓演化；支持从实验数据到工艺参数的调整。并行计算加速，提高计算速度、参数调整、仿真规模和计算精度。工艺模型表面处原子总通量：    F x ( )F x ( F) x (  - ) t s rd 溅射通量   F( )x F( )x cos Y( )      s i   I ( ) ( ) F x  f x i xy e 2 2 x x t  ( )y y t  ( ) 入射