2019年第三代半导体材料与器件重大专项申报指引.pdf

附件 1 2019 年度“第三代半导体材料与器件” 重大专项申报指南 围绕国家重大战略需求和我省战略性新兴产业发展布局，结 合国际第三代半导体前沿技术发展趋势，在着力打造广东第三代 半导体研发、制造、应用和测试评价全产业链格局和发展优势的 同时，积极进行前瞻性布局，增强未来产业优势，启动实施“第 三代半导体材料与器件”重大专项。 本重点专项目标是：围绕第三代半导体关键材料、器件、模 组以及可靠性测试技术等方面的迫切需求，在第三代半导体材料 生长技术及设备、功率器件与模块、射频器件与模块、深紫外固 态光源等方面，开展核心技术攻关与应用研究。 本专项重点部署 6 个专题，专题 1-5 部署 8 个项目，申报时研 究内容必须涵盖该专题（项目）下所列的全部内容，项目完成时 应完成该专题（项目）下所列所有考核指标。项目实施周期为 3-4 年，参研单位总数不得超过 10 个。专题 6 设 4 个课题，由项目单 位提出具体研究内容和可考核的技术、经济指标，每个课题原则 上支持 1 项，同一单位（含全资、参股、控股关联单位）支持不 超过 1 项（高校除外）。所有专题除特殊说明外，鼓励大企业联 合创新型中小企业、高校、科研院所等，产学研合作申报。 - 8 - 专题 1：第三代半导体材料生长技术和关键设备（专题编号： ） 项目 1.1：高质量氮化镓单晶材料制备及关键技术研究 研究内容： 1）研究高质量低位错氮化镓（GaN ）单晶衬底的关键制备技 术：研究 GaN 的初始成核与生长中的位错拐弯与合拢的基本过程 与形成机理，以及外延生长区流场温场的调控对晶体位错、应力 形成的影响与优化； 2 ）研究4-6 英寸 GaN 单晶衬底的批量制造关键技术：研究大 尺寸 GaN 单晶层的无裂纹外延生长及其分离技术，研究 GaN 单晶 衬底的表面加工处理工艺实现 epi-ready 纳米级表面，研究工艺的 稳定重复性； 3 ）研究 GaN 同质外延生长过程中的关键技术：研究同质外 延中的界面调控与应力形成及其优化控制，研究外延层中的晶体 成核与位错密度调控，研究精准掺杂技术及其迁移率调控。 考核指标： 1）4-6 英寸 GaN 单晶衬底的稳定量产，衬底位错密度1×106 cm-2 （CL 5 点检测），厚度400 μm ，总厚度偏差（TTV ）小于30 μm，曲度（BOW ）绝对值小于 30 μm ，表面粗糙度0.1 nm@10 μm×10 μm，N 型掺杂浓度大于 1-3×1018 cm-3 ，电阻率小于 0.05 Ω/cm ，迁移率600 cm2/V·s ，晶向 C 面偏 M 面偏角角度范围 0.35°±0.1° ； - 9 - 2 ）以上指标通过具有国家认证资质的第三方测试机构测试； 3 ）申请发明专利 8 件，围绕项目形成的创新成果发表高水平 论文； 4 ）实现4 英寸氮化镓单晶衬底产能 5000 片/年。 申报要求：本项目为产业化项目，须企业牵头申报。 支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 2000 万元。 项目 1.2：MPCVD 半导体金刚石单晶材料生长设备及关键工 艺技术攻关 研究内容： 1）开展基于微波诱导腔体共振激发的等离子体行为模拟研 究，研制国产大功率微波等离子体化学气相沉积设备（MPCVD ）； 2 ）研制国产大功率微波发生器及其辅助设备，提高设备的运 行效率； 3 ）通过仿真与工艺实验优化，攻关大面积金刚石衬底的高速、 高质量与高均匀性的生长难题，制备高质量大尺寸单晶金刚石衬 底。 考核指标： 1）研制出国产30kW 大功率 2.45 GHz 的频率发生设备，能量 幅值波动小于 5% ，频率稳定度在 1%； 2 ）研制出国产30kW 微波等离子体化学气相沉积设备，实现 大于 50