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靶材热处理温度对磁控溅射 Mo薄膜组织和性能的影响 张国君1，2 ， 靶材热处理温度对磁控溅射 Mo 薄膜组织和性能的影响 张国君1，2 ，马 杰2 ，安 耿3 ，孙院军3 ( 1． 西安交通大学，陕西 西安 710049) ( 2． 西安理工大学，陕西 西安 710048) ( 3． 金堆城钼业股份有限公司，陕西 西安 710077) 摘 要: 采用磁控溅射设备和经过不同温度热处理的 Mo 靶材，以相同的溅射工艺参数，在 Si 基片上制备了 Mo 金 属薄膜，研究了靶材的热处理温度对 Mo 薄膜组织和性能的影响。研究结果发现，所制备 Mo 薄膜均呈现( 110) 晶 面择优取向，而靶材热处理温度的升高能够提高 ( 110) 晶面的择优取向程度。所 有 薄 膜 均 为 T 型低温抑制生长。 比较结果表明: 经 1 200 ℃ 热处理的 Mo 靶材溅射率最高( 18． 5 nm / min) ，且其溅射膜具有较小的方阻值和较好的 厚度均匀性，综合性能最优。 关键词: 钼靶材; Mo 薄膜; 择优取向; 电性能 DOI: 10． 13384 / j． cnki． cmi． 1006 － 2602． 2014． 06． 009 中图分类号: TG146． 4 + 12 文献标识码: A 文章编号: 1006 － 2602( 2014) 06 － 0036 － 05 INFLUENCE OF ANNEALING TEMPEＲATUＲE OF MO SPUTTEＲING TAＲGET ON THE MICＲOSTＲUCTUＲE AND PＲOPEＲTIES OF MO FILMS ZHANG Guo-jun1，2 ，MA Jie2 ，AN Geng3 ，SUN Yuan-jun3 ( 1． Xi’an Jiaotong University，Xi’an 710049，Shaanxi，China) ( 2． Xi’an University of Science and Technology，Xi’an 710048，Shaanxi，China) ( 3． Jinduicheng Molybdenum Co． ，Ltd． ，Xi’an 710077，Shaanxi，China) Abstract: Using magnetron sputtering system and Mo targets annealed by different temperatures，Mo metal thin films were deposited on Si substrate in the same sputtering parameters． The influence of annealing temperature of Mo target on the microstructure and properties of Mo films were studied． The results indicate that Mo films have preferred orientation of ( 110) ，and the increase of targets’annealing temperature can improve the degree of pre- ferred orientation of ( 110) crystal plane． All samples have T-type growth inhibited by low temperature． The sample annealed at 1 200 ℃ has the highest sputtering rate of 18． 5 nm / min，and its sputtering film has the best compre- hensive properties of low square resistance and good uniformity． Key words: Mo target; Mo films; preferred orientation; electrical properties 阳能电池之一，Mo 薄膜是其结构中背接触层的最佳 选择，不仅能够与光吸收层之间形成优良的欧姆接 触，还能够很好的阻碍作为基底的钠 钙 玻 璃 ( SLG) 中的 Na + 向吸收层的扩散。又如以前 TFT － LCD 显 示器中的栅 电 极 主 要 用 Cr / Al 材 料 制 成，而 Mo 薄 膜材料的比阻抗和膜应力均小于 Cr，且在生产加工 环节中不会像 Cr 那样对环境造成污染，因此 Mo 薄