《锗硅衬底上HfO2薄膜界面微结构观测与分析》-毕业设计（论文）.docVIP

lw lw lw 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u 10871 摘要 0 1 24272 Abstract. 0 1 200 第一章 绪论 0 2 9409 1.1 传统氧化硅栅介质材料的局限性 0 2 1635 1.2 铪基栅介质材料研究现状 0 3 30534 1.3 锗硅衬底的特点 0 4 10225 1.4 本论文研究的目的、内容及意义 0 4 32229 第二章 薄膜制备、微结构观测与分析原理 0 5 11867 2.1 薄膜制备工艺和技术 0 5 1908 2.1.1 射频磁控溅射系统及原理介绍 0 5 30825 2.1.2 薄膜厚度和沉淀速度的标定 0 6 15949 2.2 锗硅衬底的清洗与表面处理 0 6 16221 2.3 HfO2薄膜的制备条件 0 7 5810 2.4 薄膜结构形貌及成分表征方法 0 7 6419 2.4.1 原子力显微镜(AFM)原理介绍 0 7 28928 2.4.2 高分辨透射电子显微镜(HRTEM)原理介绍 0 7 9085 2.4.3 X射线光电子能谱仪(XPS)原理介绍 0 8 5869 2.5 本章小结 0 9 11989 第三章 Si83Ge17/Si衬底上HfO2栅介质薄膜微结构观测与分析 10 6054 3.1 Si83Ge17/Si衬底上HfO2薄膜表面形貌的AFM观测分析 10 30218 3.2 Si83Ge17/Si衬底上HfO2薄膜界面的HRTEM观测分析 11 20742 3.3 Si83Ge17/Si衬底上HfO2薄膜成分的XPS深度剖析 12 23437 3.4 本章小结 13 12212 结论 14 17785 参考文献 15 17708 致 谢 17 锗硅衬底上HfO2薄膜界面微结构观测与分析 西南大学物理科学与技术学院，重庆 400715 摘要：本文利用射频磁控溅射在Si83Ge17衬底上沉积HfO2薄膜，研究不同沉积和后退火处理下薄膜的微结构特征。利用原子力显微镜，高分辨透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪观测分析了薄膜成分与界面微结构。实验结果表明，70W沉积功率下制备薄膜表面平整度较好，室温沉积薄膜已结晶，在薄膜和衬底之间生成了非化学配比的HfSixOy和HfSix混合界面层。 关键词：HfO2薄膜；界面微结构；射频磁控溅射 Interfacial microstructures of HfO2 films on Si83Ge17/Si substrates Yan Shuqin School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China Abstract: HfO2 films were deposited on Si83Ge17/Si substrates by radiofrequency (RF) magnetron sputtering. The effects of substrates and annealing treatments on the interfacial microstructure with HfO2 films were investigated by atomic force microscope (AFM), high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and X ray photoelectron spectroscopy (XPS). AFM observation indicates that the HfO2 films deposited at room temperature with a working power of 70W exhibit a smooth and dense surface and in crystal state. HRTEM and XPS investigation reveal that an interface layer of non-stoichiometric HfSixOy mixed with HfSix exists between HfO2 film and substrate. Key words: HfO2 film; interfacial microstructure; radio frequency magnetron sputtering 绪论 伴随着半导体技术的日新月异，高集成度、高可靠性和高速的电路器件已成为硅微电子界研究的重点和热点。