微机原理5章教学文稿.pptVIP

第5章 存储器内容： 5.1;微型计算机的存储结构寄存器——;按用途分： 内部存储器（内存，;一、内部存储器SRAMDRAM;无标题;只读存储器ROM掩膜ROM：信;二、存储器性能指标1、存储容量;5.2 随机存取存储器RAM;5.2.1静态随机存取存储器S;（一） 存储矩阵 用;有关存储容量的概念：基本存储电;（二）地址选择电路 ;译码器A5A4A3A2A1A0;（三）控制电路与读/写电路 ;SRAM结构框图：①存储矩阵—;二、静态RAM(SRAM)的基;T81、双稳态触发器： ;三、 静态RAM芯片例子SRA;SRAM芯;6264工作方式6264D0~;四、静态RAM的读/写过程 ;1）.读出过程 （1）地址码;（2）在送上地址码的同时，还要;2）.写入过程（１）地址码加在;5.2.2 DRAM的存储电;DT1Cs字选线信息存储在电容;无标题;二、 DRAM的刷新电容C上高;⊿刷新定时器定时发出刷新请求 ;三、DRAM芯片举例DRAM ;1、DRAM芯片2164存储容;2164A的片内有64K（65;存储器与CPU连接应注意的问题;二、IBM PC/XT 中的存;第5章教学要求掌握半导体存储器;芯片的内部结构?T5T4T3T;2164的读写存储体由4个12;2164的刷新采用“仅行地址有;SRAM与DRAM比较SRAM;5.2.3 存储器的工作时序微;SRAM对读周期的时序要求： ;存储器对读周期的时序要求： ;5.2.4、高速缓冲存储器（ ;Cache的命中和命中率：CP;5.3 只读存储器ROM可以看;不可编程掩模ROM一次性可写P;（一）不可编程掩模式MOS只读;位线地址译码A1A0字线3字线;用户在使用前可以根据自己的需要;制造时，每一单元都由熔丝接通，;（三）可擦除、可再编程的只读存;GSDEPROM基本存储电路（;可擦除的可编程的只读存储器EP;EPROM芯片实例----In;无标题;2716的工作方式工作方式CE;（四）、电可擦除的可编程序的R;EEPROM芯片2817A存储;EEPROM 2817A的功能;（五）Flash Memory;5.4 CPU与存储器的连接R;本节要解决问题：一个是如何用容;一、 存储器容量 ;位扩充例： 2114（1）A9;2、字扩充当选用芯片的单元数不;字扩充例：片选端D7～D0A1;扩充连接图;二、 存储器与CPU的连接存储;1、地址线的连接 --;片间寻址的三种译码方式：线性选;例5-1 线性选择1号芯片寻址;芯片占用的地址空间分别为： ;三-八译码器是最常用译码器例5;例： 静态RAM与8086CP;例 5一4要求用 4K ⅹ 8;例5-4——地址分析0 0 ;片选端译码小结存储芯片的片选控;补充：译码和译码器译码：将某个;译码器74L74LS138的功能表片选输入;74LS138连接示例G1G2;1）全译码全译码：片内寻址未用;例：用4片6264构成32K×;2）部分译码部分译码：除片内寻;3）线选译码线选译码：用除片内;例：用线选法产生4片6264 ;片选端译码小结存储芯片的片选控;4）、片选端常有效A19～A1;2、存储芯片数据线的处理若芯片;3. 存储芯片的读写控制芯片O;用户扩展存储器地址空间的范围决;门电路译码A1A0F0 F1;A15 A14A13A16CB;1000 000 0 0 00