模电数电 电子资料-1.2.5 场效应三极管.ppt

●vGS＜0、VDS=0时，耗尽层加宽（主要向沟道一测加宽），并向沟道中间延伸，沟道变窄。 当vGS＜VP（称为夹断电压）时，两个耗尽层增大到相遇，沟道消失，这时称沟道夹断，沟道中的载流子被耗尽。若有VDS电压时，沟道电流也为零。 所以属于耗尽型FET，原理和特性与耗尽型MOSFET相似。所不同的是JFET正常工作时，两个PN结必须反偏，如对N沟道JFET，要求vGS≤0。 加上负VGS电压和VDS电压以后，VGD的负压比VGS大，所以，两个反偏PN结的空间电荷区变得上宽下窄，使沟道形成楔形。 MOSFET主要通过改变衬底表层沟道的厚度来控制iD，称为表面场效应器件。 JFET通过vGS改变半导体内耗尽层厚度（沟道的截面积）控制iD，称为体内场效应器件； JFET的伏安特性（以N沟道JFET为例） 伏安特性曲线和电流方程与耗尽型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。 三、场效应管的主要参数 直流参数 [开启电压VT] 增强型管的参数。 [夹断电压VP] 耗尽型管的参数。 [输入电阻 RGS(DC)] 因iG=0，所以输入电阻很大。JFET大于107Ω，MOS管大于1012Ω 。 [饱和漏极电流IDSS] 指耗尽型管在vGS=0时的漏极电流。 交流参数 [低频跨导(互导)gm] [交流输出电阻rds] 跨导gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，且与工作点有关，是转移特性曲线上过Q点切线的斜率。gm的单位是mS。 rds反映了漏源电压对漏极电流的影响程度，在恒流区内，是输出特性曲线上过Q点的切线斜率的倒数。其值一般为若几十kΩ。 极限参数 [最大漏-源电压V(BR)DS ] 漏极附近发生雪崩击穿时的vDS。 [最大栅-源电压V(BR)GS ] 栅极与源极间PN结的反向击穿电压 。 [最大耗散功率PDM] 同三极管的PCM相似。当超过PDM时，管子可能烧坏。 不同类型FET对电压的极性要求 增强型 耗尽型 种类 电压 NMOS PMOS N 结型 P 结型 NMOS PMOS v GS 正 负 负 正 负 ( 或正 ) 正 ( 或负 ) v DS 正 负 正 负 正 负 * 1.2.5 场效应三极管 场效应管 具有输入电阻高、热稳定性好、噪声低、工艺简单、易于集成等优点。 FET（Field Effect Transistor） ●绝缘栅型IGFET（Insulted Gate Type） (或MOS) Metal-Oxide-Semiconductor ○增强型MOS （Enhancement） ○耗尽型MOS （Depletion） 每一种又可分为N沟道和P沟道管子。 ○结型JFET （Junction Type） 场效应管分类： 一、绝缘栅场效应管（IGFET） 增强型NMOS管 在P型衬底上扩散2个N+区，P型表面加SiO2绝缘层，在N+区加铝线引出电极。 s：Source 源极 d：Drain 漏极 g：Gate 栅极 B：Base 衬底 增强型PMOS管 PMOS与NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。 在N型衬底上扩散上2个P+区，P型表面加SiO2绝缘层，在二个P+区加铝线引出电极。 1.增强型NMOS管的工作原理 正常工作时外加电源电压的配置 ②vGS＞0，vDS=0时： ①vGS=0, vDS=0： 漏源间是两个背靠背相串联的PN结)，所以d-s间不可能有电流流过，即 iD≈0。 d-s之间的Si02层下面会形成电子型的导电沟道。 vGS=0, vDS=0时示意图 开始形成导电沟道所需的最小电压称为开启电压VGS(th)(习惯上常表示为VT)。 电子层(反型层) 耗尽层 vGS>0, vDS=0时示意图 在此电压极性下，在栅极与衬底间产生一个垂直向下电场，它使漏-源之间的P型硅表面感应出电子层(反型层) 。 沟道形成说明如下： vGS>0, vDS=0时示意图 另外还将P区的少子电子吸引到SiO2层下面。同时该电场排斥空穴向衬底方向运动，使感应的电子层和衬底间形成了耗尽层。最终将两个N+间形成电子型的导电沟道。 此时，若加了VDS电压，将会有iD电流流过沟道。 vGS>0, vDS=0时示意图 当vGS＝0时没有导电沟道，而当vGS增强到＞VT时才形成沟道，所以称为增强型MOS管。并且vGS越大，感应电子层越厚，导电沟道越宽，等效沟道电阻越小，iD越大。 当VGS?VT，VDS?0后，?漏-源电压vDS产生横向电场：由于沟道电阻的存在，iD沿沟道方向所产生的电压降使沟道上的电场产生不均匀分布。近s端电压差较高，为vGS；近d端电压差较低，为vGD＝vGS-