固体材料的导电性2..pptVIP

注意：电离后所剩下的是带正电的散射中心，而不是空穴型载流子。这一点与本征半导体的情况是完全不同的。 因此，在这种半导体的载流子中必有： 电子数 空穴数 —— N 型半导体。 对半导体：εr ~ 10 ；而 me* / m ≈ 0.2 所以可得：E1 的数量级为：0.0272 eV 。而Eg ~ 1.12 eV，即有： E1 Eg 价带 导带 Eg E1 结论： 电子从杂质能级激发到导带所需的能量就要比从价带激发至导带所需的能量小得多。 这样，在低温下导带中的电子主要来自于杂质。由于这类杂质能够向导带提供电子，称为施主，被束缚在施主上的电子能级称为施主能级。它位于禁带中，比较靠近导带低。 价带 导带 Eg E1 （2）受主杂质与受主能级： ① 基本情况： ★ 每个 Si 原子有四个价电子，正好填满价带。 ★ 在 Si 晶体中加入三价元素（如 B ），它将取代 Si 原子所占据的晶格位置。 ★ 由于 B3+ 比 Si4+ 少一个价电子，所以，晶体的价带不能填满有空穴，同时离子 B3+ 也比 Si4+少一个正电荷。在晶格中如同有一个负电中心。 结论： 一个 B 原子替代 Si 原子后，其效果是造成一个负电荷的中心和一个空穴。这个空穴被负电的中心束缚，属于局域态，同样可以采用类氢模型。 Si Si Si Si B Si Si Si Si + e 受主杂质与受主能级 ② 具体的估算： 其中 mh 为空穴的有效质量。和讨论施主能级时的情况完全类似，这里也有： 价带 导带 Eg E1 E1 Eg 结论： 电子从价带激发到这个由于杂质的引入所形成的新能级所需能量，要比从价带直接激发至导带所需能量小得多。 这样，在低温下价带中的空穴主要来自于杂质。由于这类杂质具有接受电子的特点，称为受主，其能级被称为受主能级。它位于禁带中，很靠近价带顶，实际上它是位于禁带中的空能级。 在这种半导体中由于散射中心是带负电荷的，因此在它的载流子中必有： 空穴数 电子数 —— P 型半导体。 在一般情况下，半导体中可能同时存在施主和受主杂质，而受主能级低于施主能级。所以，施主能级上的电子首先填充受主能级上的空状态，两种杂质同时电离，这种过程称为补偿。而最终，半导体的类型决定于施主和受主杂质的浓度相对大小。总之，当电子是多数载流子而空穴是少数载流子时，半导体为 N 型半导体，反之为 P型半导体。 二、有效质量近似： 根据半导体能带结构的特点，其载流子主要靠热激发产生，常温下 kBT Eg ，载流子主要分布在导带低或价带顶附近很窄的范围内。因此，半导体的导电性质决定于能带极值附近的载流子在外场作用下的运动情况。有效质量近似是解决这类问题的一种行之有效的办法，在半导体物理中被广泛应用。 （1）有效质量近似： 单电子薛定格方程为： ① 无外场作用时的情况： 其中： 给出各能带的能量值和能量与波矢 k 的关系。 给出第 n 个能带中，波矢为 k 的本征波函数。 它是 k 的周期函数，即有： 可将它展开为： 引入算符： 把它作用到布洛赫函数 上，可得： 对布洛赫函数有： 代入前式： 注意到有： 按照前面的做法用 来代换式中的 ik ，就可得到展开式： 有： 关系式： 该式说明： 是算符 的能量为 的本征波函数。因此，该式与方程： 是等价的，都会给出相同的解。 ② 有外场作用时的情况： 单电子薛定格方程为： 这里U(r) 表示电子与外场间的相互作用势能，V(r) 表示晶格周期场的势能。假定 U(r) 很弱而且是 r 的缓变函数，电子的运动只限于一个带内，不发生带间跃迁。这样就可以把ψ用一个能带的布洛赫函数展开。 单电子哈密顿量为： 代入薛定格方程中可得： 定义有效哈密顿量： 把ψ用一个能带的布洛赫函数展开，写为： 这里的 mc 被称为回旋有效质量。具体说明如下： 在磁场作用下，自由电子在 k 空间的运动轨迹是圆。其回旋频率： 从前面的讨论中可以看出： Bloch 电子在磁场中虽然也在作回旋运动，但由于其等能面的复杂多变（参见前页图）其运动轨迹要复杂得多，因此其回旋频率的表达式需要具体进行积分求出。但如前所述：在能带底和能带顶，情况可以变得简单，可以给出类似自由电子的表达式： (b) Bloch 电子时的情况： 由：