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IGBT驱动电路板的输入信号处理电路设计 作者：海飞乐技术 时间：2018-05-23 13:35 ? 根据驱动电路的设计，制作PCB实验板，图1为驱动与保护实验电路板照片。其中脉冲变压器和DC/DC电源变压器绕组间均用环氧板隔离，磁芯填充绝缘胶。实验用IGBT为英飞凌公司FZ400R17KE3，额定电流为400A，额定电压1700V。??电路板的输入侧电路主要完成PMM脉冲半桥死区处理、脉冲转换以及故障反馈检测处理等功能。 图1 ?驱动与保护电路板 ???1.?半桥死区逻辑??由于关断不及时导致的桥臂直通短路现象，应该在驱动脉冲由关到开的阶段加入一个死区时间，等另一个管子完全关断后再开通。产生死区时间一般的方法是通过RC电路充电来实现。设计的死区时间产生电路如图2所示。 ? 图2半桥死区逻辑处理电路 ? 上下管驱动脉冲为INA和INB，Mode为半桥电路选择引脚，外部通过跳线可以设置模式。当Mode为低电平时，驱动电路为独立模式，与非门U1和U2其中一个输入端都为低电平，输出则为高电平，U3和U4的输出只和INA和INB有关，无死区时间生成，此时上下两管独立运行；与Mode高电平时，此时驱动器为半桥模式，U3和U4的输出与INA和INB的高低有关，由此产生死区时间。图3为上下管PWM以及栅极驱动的死区时间示意图。 ? 图3?半桥死区时间示意图 ??半桥模式下，若INA由高到低，同时INB由低变高时，U1输出高电平，U2输出低电平。此时U3立刻输出高电平，INA信号无延迟；U1输出高电平后，U4另一个输入端需要经过对CA处电容充电后才能由低变高。充电时间取决于电阻和电容的时间常数RC，待U4输入端都变高时输出低电平。所以INB由低变高的信号有了延迟；同理，若INB有高变低，同时INA由低变高时，U2输出的高电平对CB充电，INB信号无延迟，INA信号延迟。??这个延迟就是半桥死区时间，时间的长短由CA和CB电容值决定。电阻一定的情况下，电容越大，充电时间越长，死区时间也越长。所以，可以根据死区时间长短的要求，来选择电容值。根据一阶零状态时间响应方程： ? ??由HCF4093数据手册中查到正向阈值电压为9.4V，又有Uo=15V，死区时间电阻R=10.1k，电容C为130pF，可求得死区时间为1.3us，为电路默认死区时间，通过CA和CB端外接电容，可以实现增加死区时间。表1为死区时间对应的外接电容的大小。 表1 死区时间对应电容值? ??图4所示，Mode引脚为低电平时，即独立模式，U3和U4输出电压PSPICE仿真波形。可以看出，上下管驱动信号基本无延迟。 ? 图4?独立模式仿真波形 ??图5为Mode引脚为高电平时，即半桥模式，U3和U4输出电压PSPICE仿真波形。此时CA和CB接100pF电容，死区时间为2.3us。 ? 图5?半桥模式仿真波形 ???2. 驱动信号隔离传输电路??通常的隔离方式有光隔离和磁隔离，光耦隔离方式由于隔离电压相对较低，存在传输延迟、老化和可靠性等方面的问题。而采用脉冲变压器隔离力式磁隔离)可以实现相利较高的隔离电压，而且变压器的可靠性高，传输延迟小，可以实现较高开关频率，不存在老化的问题，因此在高压大功率IGBT驱动器中多采用脉冲变爱压器作为隔离元件来完成驱动信号的隔离传输。??传统的驱动用脉冲变压器通常要求控制脉冲占空比小于50%，同时，脉冲变压器磁芯的饱和问题也限制了控制脉冲的导通时间。还存在驱动波形失真，特别是驱动大功率IGBT时，由于IGBT的输入电容比较大，脉冲变压器次级输出的驱动脉冲波形很难满足驱动要求。因此，对于高压大功率IGBT，直接用脉冲变压器隔离驱动方式无法应用。解决的办法是转换驱动脉冲信号，只保留上升沿和下降沿信号，将驱动信号转换成窄脉冲信号，脉冲变压器只是将脉冲信号耦合到次级，再通过次级还原的方法还原驱动信号。此种方法称为脉冲边沿偶合传递方式，如图6所示。这种方式的优点是脉冲变压器只传递脉冲宽度固定的窄脉冲信号，可以适应占空比宽范围变化的驱动脉冲信号。由于变压器传递的是窄脉冲信号，变压器的磁芯和绕组可以取比较小的值，相应的漏感和分布电容也比较小，这都有利于脉冲变压器的设计和信号传输。 ? 图6?脉冲边沿偶合传递方式 ???图7为驱动电路所设计的信号隔离传输电路，其中Cd为隔直电容，当开关信号控制开关管开关时，由于Cd的隔直作用，使得流过脉冲变压器原边的只是正负窄脉冲信号，这些窄脉冲信号和驱动脉冲的上升沿和下降沿对应，而副边则通过RS触发器进行脉冲还原保持。 ? 图7?脉冲边沿耦合传输电路 ??图8为脉冲边沿耦合传输电路中，脉冲变压器副边电压PSPICE仿真波形。 ? 图8?脉冲边沿耦合传输电路仿真波形 ????由仿真波形可以看出，在脉冲的上升