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第1题
半导体中电子有效质量的定义
式中 是能带极值(极大值或者极小值)对应的波矢。
电子有效质量的意义
概括了周期场对电子的作用,使外场下能带电子的运动,可用服从牛顿运动定律、具有有效质量 的“赝电子”来描述。
具体说明如下:
第三章 半导体中的电子状态 半导体中的杂质----解答参考
外电场下,能带电子受到的作用力,
牛顿运动方程,
写成能量增量形式,
在能带顶, ,周期势场对电子作负功,电子传递给晶格的能量大于外场力对电子的作功。
在能带底, ,周期场对电子作正功,电子从晶格得到能量。
当电子从外场力获得的能带全部传递给晶格时,电子平均速度等于常数,外场力与周期势场力大小相等、方向相反,电子有效质量趋于无限大。
第2题
空穴的定义
引进空穴概念的意义
将能带中数量庞大的电子的导电行为用少量的空穴导电行为来等效,使得在描述半导体价带电子导电规律时更加简单明了。
电场作用下,在缺少1个电子的能带中,剩余的(2N-1)个电子对电流的贡献等效为1个带正电子电量、具有正的电子有效质量的空量子态的贡献,这个可以在电场下自由运动的空量子态称为空穴。
第3题 以半导体硅为例说明如下:
绝对零度下,硅半导体正四面体结构单元、二维晶格、能带示意图,
2N个电子态
空带(导带)
2N个电子态
满带(价带)
禁带
绝对零度以上,部分价带电子受到热作用激发到导带,价带中出现空量子态,该空量子态可以被其它共价键上的电子来填充,在该处又出现空量子态,又可以被电子填充。这种空量子态不断被填充的过程,好像是空量子态在不断自由运动,这个空量子态就是空穴。
顶角硅原子
中心硅原子
共价键电子对
导带
禁带
价带
第4题
一个等能面是半导体电子波矢空间中的一个曲面,数学上表示为,
是电子波矢空间中的一个点, 是该波矢点对应的能量值。
若电子波矢空间中一些不同的波矢点对应的能量值相同,将这些点连接起来形成一个曲面,这个曲面就称为一个等能面。
引入等能面的意义
是为了更加形象、更加生动的描述半导体电子量子态的分布及其各向异性的性质。
第5题
要观察到明显的电子回旋共振吸收峰,必须满足两个基本条件:
1、被测量的半导体样品必须置于极低的温度环境中;
2、给测量的半导体外加一个磁感强度很高的恒定磁场;
3、用频率在微波范围的交变电磁场进行测量;
第6题
一、浅能级杂质在半导体中的作用
浅能级杂质的定义——杂质能级离导带底或者价带顶很靠近的杂质。
浅能级杂质在半导体中的主要作用:
1、改变半导体的导电类型(即通过掺不同种类、不同浓度的浅能级杂质,来得到P型半导体(以价带空穴导电为主)或者N型半导体(以导带电子导电为主)。
2、调整半导体导带电子浓度或者价带空穴浓度,控制半导体的导电能力。
一、深能级杂质在半导体中的作用
深能级杂质的定义——杂质能级离导带底或者价带顶比较远的杂质。
深能级杂质在半导体中的主要作用:
起到有效复合中心的作用(见第5章内容),控制半导体非平衡载流子的寿命。
第7题
以硅半导体中掺金为例说明如下:
金原子具有1个价电子。
如果金(Au)原子将价电子电离出去,则在硅半导体中产生一个深施主能级 ,如下图所示:
如果金(Au)原子获得一个外来电子,则在硅半导体中产生一个深受主能级 ,如下图所示:
第8题(参考第1章倒格子、第2章能带表示的课件)
第Ⅲ能带
第Ⅱ能带
第Ⅰ能带
A
B
C
根据自由电子能谱,
得到第Ⅰ能带 的电子能量,
图3-41是能带图的简约布里渊区表示法。
第Ⅱ能带原本在第二布里渊区,通过移动1个倒格矢 后落入第一布里渊区的。第Ⅲ能带原本在第三布里渊区,通过移动2个倒格矢后落入第一布里渊区。
所以,对于第Ⅰ能带的波矢 ,在第Ⅱ能带中则为 ,在第Ⅲ能带中为
对于晶格常数为 的一维单原子晶格,倒格矢等于(第一布里渊区的宽度),
——第N个能带的最小值
——第Ⅰ个能带的最小值
(1)
得到第Ⅱ个能带 处的电子能量,
——第Ⅱ个能带的最小值
得到第Ⅲ个能带 处的电子能量,
——第Ⅲ个能带的最小值
(2)
由电子有效质量的定义可知,能带宽度越窄,电子有效质量越大,能带宽度越宽,电子有效质量越小。
所以,在波矢量 处,第Ⅰ能带的电子有效质量最大,第Ⅲ能带的电子有效质量最小。
(3)
空穴出现在能带顶附近。
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