行业标准《半导体封装用键合银丝》（送审稿）.docxVIP

GB/T 8750-×××× GB/T 8750-×××× PAGE 2 PAGE 15 I ICS ICS 77.150.99 H 68 YS YS 中华人民共和国有色金属行业标准 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T YS/T612—×××× 半导体封装用键合银丝 Silver bonding wire for semiconductor package （送审稿） 中华人民共和国工业和信息化部 发布201×-××-××发布 201×-××-××实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 前 言 本标准按GB/T1.1-2009给出的规则起草。 本标准主要有如下内容： ——标准名称为“半导体封装用键合银丝”，英文“Silver bonding wire for semiconductor package”； ——范围为“本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝（以下简称银丝）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、合同（或订货单）等内容。本标准适用于半导体封装用键合银丝。”； ——产品分类中，根据不同成份进行了用途说明； ——直径包括0.015,0.016,0.018,0.020,0.022,0.023,0.025,0.028,0.029,0.030,0.032,0.033,0.035,0.038,0.040,0.045,0.050,0.060,0.075等规格； ——包含1m金丝重量允许范围列表和重量计算规定； ——取样规定,对具体性能取样要求细化；镀金银线的镀层厚度采用称重法。 ——附录包括表面检验、卷曲和扭曲试验、线轴的使用规定、长度的测量以及性能测量方法等。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。 本标准起草单位：烟台一诺电子材料有限公司。 本标准主要起草人：。 本标准的历次版本发布情况为： 半导体封装用键合银丝 范围 本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝（以下简称银丝）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存质量证明书、合同（或订货单）等内容。 本标准适用于半导体封装用键合银丝。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 10573 有色金属细丝拉伸试验方法 GB/T 110671 银化学分析方法 GB/T 15077 贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法 SJ 1281 77 金属镀层和化学处理层厚度的检验方法 要求 3.1产品分类 银丝按化学成分分为合金银丝和镀金银丝两大类。合金银丝根据掺杂元素及其含量不同分为SA1, SA2，SA3……等；镀金银丝为SP,镀层的厚度按照称重方法进行控制；重量范围为0.09～0.16%。镀层表面平整光滑、分布均匀一致。银丝的种类、型号、状态、用途、直径应符合表1的规定。 表1 种类 型号 状态 用途 直径，mm 合金银丝/镀金银丝 SA1 半硬态 Common。 0.015,0.016,0.018,0.020, 0.022,0.023,0.025,0.028, 0.029，0.030,0.032,0.033, 0.035,0.038,0.040,0.045,0.050,0.060,0.075 SA2 LED TR IC Card QFN TSOP Flash Memo SA3 LED QFP TSSOP QFN BGA IC CARD Flash Memo SP LED QFP TSSOP QFN BGA IC CARD PBGA 3.2 产品标记示例 3.2.1 每轴银丝标记： 长度，单位m SA□，Φ□ ×□ m 长度，单位m 直径，单位为mm 直径，单位为mm 银丝型号 示例： 直径为0.025mm、长度为500m、SA1型号银丝可标记为 SA1，Φ0.025 ×500 m。 3.2.3 直径以微米或英制单位标记时要注明单位，毫米可不标记单位。 3.3 化学成分 银丝化学成分应符合表2的规定。 表2 型号 Ag 不小于/% Au weight% 杂质总和 不大于/% Ag Cu F