Q_QJYN 002-2019硅单晶企业标准.pdf

0 ICS Q/QJYN 曲靖阳光能源硅材料有限公司企业标准 Q/QJYN 002—2019 硅 单 晶 20 19-09-02 发布 20 19-09-02 实施 曲靖阳光能源硅材料有限公司发布 Q/QJYN 002—2019 前 言 本标准修改采用了Ibis Technology 《美国Ibis公司硅单晶产品样本》，其他技术要求执行了GB/T 12962-2005标准。 编写格式按GB/T 1.1-2009 《标准化工作导则 第1部分：标准结构和编写》标准修订。本标准于2019 年09月02日首次发布，并于2019年09月02日起实施。 本标准由曲靖阳光能源硅材料有限公司提出并起草。 本标准主要起草人：赵亮，王存。 本标准的历次版本： Q/QJYN 002—2019 Ⅰ Q/QJYN 002—2019 硅 单 晶 1 范围 本标准规定了硅单晶的术语与定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及 贮存。 本标准适用于直拉法制备的主要用于制作太阳能电池及其组件的硅单晶。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1552 硅锗单晶电阻率测定直排四探针法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T13387 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14143 300 μm-900 μm 硅片间隙氧含量红外吸收测量方法 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 Ibis Technology 美国 Ibis 公司硅单晶产品样本 3 术语与定义 下列术语和定义适用于本标准。 3.1 径向电阻率变化 晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（典型设定点是晶片半径的1/2处或靠近 晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。又称径向电阻率剃 度。 3.2 杂质条纹 晶体生长时，在旋转的固液交界面处发生周期行的温度起伏，引起晶体内杂质分布的周期性变化。 在晶体的横截面上，该变化呈同心圆或螺旋状条纹。这些条纹反映了杂质浓度的周期性变化，也使电阻 率局部变化。择优腐蚀后，在放大1500倍下观察，条纹是连续的。 1 Q/QJYN 002—2019 3.3 重掺杂 半导体材料中掺入的杂质量较多，杂质浓度大于1018cm-3为重掺杂。 4 产品分类 4