1.2 半导体二极管(1).ppt

《电子电路基础与实践（模拟部分）》 保定电院 电子教研室 1.2 半导体二极管 1． 二极管的结构、符号、类型 二极管：就是在一个PN结的基础上引出管脚并加以封装而成。 （1）二极管结构与符号 （2）外形 （4）型号 2. 二极管的伏安特性——横坐标表示加在二极管两端的电压，纵坐标表示流过二极管的电流。 （2）反向特性 ① 反向截止区：呈高阻状态。有一定的反向饱和漏电流，易受温度影响。 3. 二极管主要参数 ① 最大整流电流IFM ② 反向击穿电压UBR ③ 最大反向工作电压URM ④ 最大反向电流ISM ⑤ 最高工作频率 4. 二极管的选择(自学) (1) 若要求导通后正向压降小时，选锗管；若要求反向电流小时，选硅管； (2) 要求工作电流大时选面接触型；要求工作频率高时选点接触型； (3) 要求反向击穿电压高时选硅管； (4) 要求耐高温时选硅管。 5. 特殊二极管 （1）稳压二极管 —在电路中能起稳定电压的作用。 1）符号与伏安特性 2）主要参数 ① 稳定电压UZ：指稳压管在正常工作时管子两端的反向击穿电压。 ② 稳定电流IZ：指稳压管保持稳定电压UZ时的工作电流值。 ③ 最大工作电流IZM：指稳压管允许流过的最大反向电流。 例：两个稳压管VZl和VZ2的稳压值分别为5.5V和8.5V，正向压降均为O.7V。要得到6.2V和14V电压，试画出稳压电路。 （2）发光二极管—LED 通常用砷化镓、磷化镓等所制成。其基本结构是一个PN结，通常掺杂浓度很高，当这种管子施加正向电压时，大量的电子和空穴在空间电荷区复合时释放出的能量大部分转换为光能，从而使它发出光来。 （3）光电二极管 光电二极管的反向电流随着光照强度的增加而上升，在管壳上开有一个玻璃窗口以便于接受光照。主要特点是，它的反向电流与照度成正比。 光电二极管可用来作为光的测量器件。当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源，称为光电池。 小结 1.二极管的结构（1个PN结）和符号。 2.二极管最大特性：单向导电性 3.二极管的伏安特性曲线： （1）四个区（死区、正向导通区、 反向截止区、反向击穿区） （2）两个电压：死区电压（硅管：0.5V；锗管0.1V) 导通电压（硅管：0.7V；锗管0.2V) 4.二极管的主要参数 * 1.2 半导体二极管 史 辉 shihui0571@ 阳极 阴极 PN结 单向导电性 二极管 阳极 阴极 （3）常见类型 ① 依据制造工艺分：点接触型、面接触型和平面型 ② 依据制作材料分：锗二极管、硅二极管 ③ 依据用途分：普通二极管、整流二极管、开关二极管、稳压二极管等 （1）正向特性 ① 死区：正向高阻区。 Uth 门槛电压 ② 正向导通区：呈低阻状态。 特点：正向导通时，二极管具有基本恒定的管压降。典型正向管压降：锗管约为0.2～0.3V，硅管约为0.6～0.8V。 ② 反向击穿区：呈破坏性低阻状态。反向加电压到一定值时反向电流会激增，而管压降基本不变。 二极管的四个工作区：正向导通区、死区； 反向截止 区、反向击穿区； 指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值，它由PN结的面积和散热条件决定。 指二极管发生破坏性反向击穿时的电压，它反映二极管反向击穿状态。 指二极管不被击穿所允许加的最高反向电压。使用中一般要有一定的裕度。 指二极管在常温下承受的最高反向工作电压时的反向漏电流，一般很小。 受温度影响大。 指二极管保持单向导通性能时，外加电压允许的最高频率。 注意：需根据实际电路的要求，估算二极管应具有的参数，并考虑适当的裕量，查手册确定二极管的型号。 稳压管的正向特性曲线与普通二极管相似，但是它的反向击穿特性较陡。稳压管通常工作在反向击穿区，在这个区域流过稳压管的电流在很大范围内变化时，管子两端的电压几乎不变，从而可以获得一个稳定的电压。 3）使用中应当注意的问题： ① 阳极接低电位，阴极接高电位，保证工作在反向击穿区。 ② 为了防止稳压管的工作电流超过最大稳定电流IZM而发热损坏，必须在电路中串接限流电阻R。 ③ 稳压管一般不能并联使用，以免因稳压值的差异造成管子电流不均，使稳压管过载而损坏。 0.7+5.5=6.2V 8.5+5.5=14V 优点：体积小、工作电压低、工作电流小(10～30mA)、发光均匀稳定、响应速度快和寿命长等。 *