1.3 半导体三极管（1）(1).ppt

《模拟电子技术》 保定电院 电子教研室 复习 1、二极管的结构与符号分别是什么？ 2、二极管的两个引出电极分别叫什么？ 3、二极管的工作区有哪些？ 4、二极管的主要参数都有什么？ 5、二极管的典型应用有哪些？ 6、选用二极管的原则是什么？ 1.3 半导体三极管 1．三极管的结构和符号 各种三极管外形不同，但其内部基本结构相同，都是在一块半导体晶片上制造出三个掺杂区，形成两个PN结，使其表现出不同于单个PN结的特性，再引出三个电极、封装。 （1）结构及符号 ① 三层结构（三个区）：发射区、基区、集电区 ② 三个电极：集电极C 、基极B、发射极E ③ 两个PN结：发射结、 集电结 （3）常见外形 三极管的型号 3．三极管的电流放大作用 （1）三极管的放大条件 为了使三极管能正常放大电流信号，除满足三极管工艺要求外，还需满足一定的内部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 若是NPN型三极管，为满足此条件，三个电极电位关系为UCUBUE。 若是PNP型三极管，为满足此条件，三个电极电位关系为UEUBUC。 （2）三极管内电流分配关系 4.三极管输入、输出特性曲线 （1）输入特性曲线 （2）输出特性曲线 小结 1、三极管的结构、符号。 ★ 2、三极管内电流分配关系。 ★ 3、三极管的输入、输出特性曲线。★ ★ 4、三极管输出特性曲线中的三个工作区。 ★ * 1.3 半导体三极管（1） 集电区 基区 发射区 集电结 发射结 N P N C B E 集电区 基区 发射区 集电结 发射结 P N P C B E NPN型三极管 PNP型三极管 C B E C B E （2）制作工艺特点 ① 发射区的掺杂浓度最高，便于发射结正偏时发射大量的载流子； ② 基区很薄，而且掺杂浓度比发射区和集电区要低的多； ③ 集电结面积较大，便于吸收载流子。 2.分类 ① 依据制造材料的不同：锗管、硅管。 ② 依据三极管内部基本结构：NPN型、PNP型。 ③ 依据工作频率不同：高频管和低频管。 ④ 依据用途的不同：普通放大三极管、开关三极管。 ⑤ 依据功率不同：小功率管(耗散功率1W)和大功率管(耗散功率≥1W) ① IE＝IC＋IB → ③ IC＝βIB ★ β 称为电流放大系数 ② IB/μA IC/mA IE/mA Ic/ IB 0 20 30 40 50 60 ≈0 ≈0 0 1.4 1.42 70 2.3 2.33 76 3.2 3.24 80 4 4.05 80 4.7 4.76 78 三极管各极电流分配表 Rb RC VCC UB UC UE IB IC IE 可见：三极管的输入特性与二极管的正向伏安特性类似。 IB/ μA UBE/ V 0 UCE=0V UCE≥1V IC IB=0 IB=20 μA 40 60 80 UCE ② 饱和区： 特点：不满足IC＝βIB关系，这时IC＝ICS，失去电流放大特性。 条件：发射结正偏，集电结正偏。 ③ 截止区： 特点：IB≤0，IC＝ICEO≈0，无电流放大特性。 条件：发射结反偏，集电结反偏。 ① 放大区： 特点：满足 关系，与UCE无关， 表现出电流放大特性。 条件：发射结正偏，集电结反偏。 饱和区 放大区 截止区 * * *