光谱分析 药学3.pptVIP

光谱分析法 spectrophotometry 基本概念 光谱分析仪器 一、仪器的主要部件 辐射（光）源、分光系统（单色器）、 样品池、检测器（传感器）、记录显示系统 二、各部件的作用 辐射源---提供能量（强度）合适的辐射 单色器---产生强度合适 ?±Δ? 的辐射 样品池---盛放样品或产生测量形式 检测器---将辐射的强度变化转化成电信号 记录显示---将测量结果表示出来 光谱分析的基本原理光的吸收定律—Lambert-Beer’s law 一、定律的假设条件 1.入射光线： ①平行光； ②单色光 ?±Δ? ； ③光强度（光功率）I0 ； 2.吸光物质：①气体、液体、固体； ②横截面积(S)长度(L或b)长 方形； 3.入射光线被吸光物质吸收强度(Ia），透 过光线强度(Ib），I0=Ia+Ib 。 光谱分析主要内容 光电倍增管（photomultiplier tube, PMT） 石英套 光束 1个光子产生106~107个电子 栅极，Grill 阳极 屏蔽 光电倍增管示意图 共有9个打拿极(dynatron)，所加直流电压共为90?10V 900V dc 90V 1 2 3 4 5 6 7 8 9 阳极 阴极 石英封 读出装置 R 光电倍增管（PMT）电路图 优点：高灵敏度；响应快；适于弱光测定，甚至对单一光子均可响应。 缺点：热发射强，因此暗电流大，需冷却（-30oC)。不得置于强光(如 日光)下，否则可永久损坏 PMT！ ③光二极管阵列—光二极管在一定强度光照 射时产生电流，利用紧密排列的光二 极管阵列快速、并行采集电流信号。 电流大小与入射光强度成正比； 每个二极管可快速采集相差2nm的全波长 光谱范围内的各种波长信号； 阵列多点同时采集信号； 可形成三维谱图(A-?,A-C)。 注：检测灵敏度、性能①②③依此增加。 硅二极管 p 区 n 区 pn 结 p 区 n 区 (反向偏置) 耗尽层 空穴 电子 反向偏值—耗尽层(depletion layer)—pn结电导趋于0 (i=0)； 光照—耗尽层中形成空穴和电子—空穴移向p区并湮灭—外 加电压对pn“电容器”充电—产生充电电流信号 (i?0) 。 特点：灵敏度介于真空管和倍增管之间。 光电二极管阵列，PDA SiO2窗 p 型硅 n 型硅基 p n p n p n p n p n p n 0.025mm 2.5mm 侧视(cross section) 顶视(top view) 光束 说明： 在一个硅片上，许多 pn 结以一维线性排列，构成“阵列”； 每个 pn 结或元（element，64-4096个）相当于一个硅二极管检测器； 硅片上布有集成线路，使每个 pn 结相当于一个独立的光电转换器； 硅片上置于分光器焦面上，经色散的不同波长的光分别被转换形成电信号； 实现多波长或多目标同时（simultaneously）检测。 PDA在灵敏度、线性范围和S/N方面不如光电倍增管。应用较少。 电荷转移器件, CTD SiO2绝缘体 掺杂n区 衬基 -5V -10V 电极 h? CTD侧视图（一个电荷转移单元或像素） 光子—空穴—空穴聚集（金属-SiO2电容) a行转换器单元?b个检测单元/行= a ? b个像素 = 二维排列于一片硅片上； 类似胶片上的信息存贮； 测量两电极间电压变化—CID 使电荷移至电荷放大器并测量—CCD 衬基 5V 10V h? -5V -10V e- v1 n型Si 衬基 5V 10V +5V +10V 衬基 5V 10V -10V v1 n型Si n型Si v2 衬基 5V 10V +10V n型Si 电 荷 形 成 并 聚 集 测 量 V1 测 量 V2 电 荷重新注入 CID 破坏性读出 非破坏性读出 CCD 512 320 320?512 pixel 高速寄存器 ?1 ?2 ?3 三相时钟输出 （存贮） h? 金属基电极(electrode) SiO2绝缘体(insulator) p型硅 - - - - 势阱(potential well) On-chip preamp 1 2 3 4 CID与CCD之比较 与PDA相比，CTD最大的优势在于其二维特性，可作为影像检测器，在电视及航空等领域有广泛应用。 * *