MOS器件瞬态特性.pptVIP

3.衬底跨导： 代表了衬底偏压对漏电流的控制能力 衬底偏压通过体电荷影响漏电流 在栅压不变时，VBS改变了表面空间电荷区中反型层电荷和体电荷之间的分配 利用一级模型计算gmb 本征部分：形成器件沟道区的本征部分，它是对器件起主要作用的区域。该区的电荷包括QG,QI,QB。由这些电荷引起的电容称为本征电容。 MOS电容是本征和非本征电容的总和。 为了得到本征电容，需要得到以端电压为函数的总的栅、体和反型层电荷的表达式。在前面DC分析中已经指导它门单位面积的电荷，沿沟道区对它们积分可以得到相应的总电荷。 互易：电容的两端是等效的，电容具有对称性，例如CGD和CDG是等价的，即VG引起的电荷QG的变化可以由栅压VG变化也可以由漏压VD变化引起。 *相当于QB仅依赖于VGB，与VDS无关。这意味着CBS和CBD=0。尽管假设2在物理上不成立，但是当器件处于导通状态时，沟道反型层对体电荷起屏蔽作用，使 QB变化很小，因此不会带来太太的误差。假设1有更深奥的背景。对于多区分段模型，当器件工作在不同的工作区时，QG是不同的，即对于不同的工作区电容也不同。 线性区：CGB=0:这时因为强反型时沟道反型层在栅和体之间形成了静电屏蔽，QG基本上不受VSB变化的影响造成的。 器件工作在饱和区时，沟道夹断使沟道区与漏之间相互隔离，即使VDS变化，器件的本征区并不受影响，电容自然不变。 强反型区：Meyer Model 采用长沟道Qi和Qb的表达式： 由于函数C(V)在时间段Δt=t2-t1中是未知的，只知道它在t1和t2时刻的值。因此在模型中，是根据平均电容来计算瞬态端电荷的。 流入结点的电流和流出的不等。 电荷守恒和电容互易在MOSFET电荷模型中不能同时存在。 基于电荷的电容模型：直接以电荷为状态变量建立瞬态方程：i=dQ/dt §4 MOSFET的瞬态特性 瞬态特性 外加电压随时间变化时器件的特性 频率特性 外加电压变化的幅度很小（小信号特性） 开关特性 外加电压变化幅度较大（大信号特性） 器件的电容效应决定了MOSFET的动态特性 4.1、频率特性 分析方法：建立小信号等效电路 导出低频小信号参数，然后建立电容模型，最后考虑寄生效应 基本假设：准静态近似 端电压和端电压的变化是同步的，即任一时刻端电压和端电流瞬时值间的关系与该时刻的直流电流和电压之间的函数关系相同。 小信号参数（1） 1.栅跨导（Transconductance） 定义： 利用一级模型求解栅跨导 线性区: 饱和区： 增加栅跨导的主要方法： 减小Tox,提高μ,增加宽长比* 实际器件在线性区，gm随VGS变化，且在低VGS时gm最大* 小信号参数（2） 2.漏电导 定义： 利用一级模型求解漏电导 线性区 饱和区漏电导 长沟道理论： 考虑到CLM: 小信号参数（3） 低频小信号等效电路（f1kHz） Vgs，Vbs：交流小信号值 MOSFET的电容 本征部分: 电荷：QG,QI,QB 电容：C1,C2 寄生电容: C3,C4 CBS,CBD 本征电容: 栅和沟道之间的氧化层电容C1 表面空间电荷区电容C2 非本征电容（寄生电容） 源和漏PN结电容C5、C6 覆盖电容 栅对源漏区的覆盖引起的电容 C3、C4 MOSFET的电容 MOSFET电容－本征电容 本征电容 与本征电荷相联系，由栅氧化层电容和半导体表面空间电荷区电容串连组成的。 总的栅电荷 总的反型层电荷 总的体电荷 由于单位面积的本征电荷沿沟道方向分布不均匀，因此MOST的本征电容是分布电容。 通常把这些分布电容集总，简化为MOST栅、源、漏、体任意两端之间的集总电容。 本征电容－Meyer Model 栅－沟道之间的分布电容被分解为三个集总电容： 栅源电容 栅漏电容 栅体电容 假设 ? MOSFET电容是互易的；? 单位面积的体电荷QB沿沟道方向为常数*。 电荷方程 Strong Invesion 线性区： 饱和区： （亚阈值区） Weak Invesion 本征电容－Meyer Model Meyer Model 电容的表示式 线性区： 饱和区： 亚阈值区： Voltage dependence of intrinsic capacitance as a funcation of VGS Meyer Model Meyer Model 的缺点 计算时电容的突变造成电荷不守恒 Meyer Model ： 实际计算时： 这使得 Meyer Model 不适合于模拟动态RAM和开关电容 更精确的电容模型：基于电荷的电容模型 MOSFET的非本征电容 栅覆盖电容 Overlay Capacitance 有效沟道长度Leff 有效沟道宽度Weff MOSFET的非本征电容 MOSFET的栅覆盖电容 栅源覆盖电容C