一种新结构IGBT_内透明集电极IGBT的仿真研究.docVIP

ＣＩＣ中国集成电路 China lnte gra te d Circult 设计 一种新结构IGBT ———内透明集电极IGBT 的仿真研究 王浩，胡冬青，吴郁，亢宝位 （北京工业大学电子信息与控制工程学院北京１０００２２） 摘要：本文首次对新近提出的一种新结构的ＩＧＢＴ———内透明集电极ＩＧＢＴ进行了器件性能的仿真。这种ＩＧＢＴ是在传统非透明集电极ＩＧＢＴ结构基础上，通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法，使器件在物理上实现了集电极对电子的透明，同时又避免了低压透明集电极ＩＧＢＴ制造过程中论文重点对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究，并与现行ＰＴ－ＩＧＢＴ和超薄片操作的技术难题。 ＦＳ－ＩＧＢＴ进行了比较。仿真结果表明，通过合理调整内透明集电极ＩＧＢＴ的参数组合，可以使其具有通态压降正温度系数的同时，又具有较快的关断速度，实现透明集电极ＩＧＢＴ的优良性能。关键词：内透明集电极；ＰＴ－ＩＧＢＴ；ＮＰＴ－ＩＧＢＴ；高复合层 ——Internal Transparent Collector IGBT A New Structure IGBT — and Its Simulation Research WANG Hao, HU Dong-qing, WU Yu, KANG Bao-wei （Department of Electronic Science Technology , Beijing University of Technology , Beijing 100022, China ） ——ＩｎｔｅｒｎａｌＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＣｏｌｌｅｃｔｏｒＩＧＢＴ（ＩＴＣ－ＩＧＢＴ）ｗｈｉｃｈｉｓAbstract:ＴｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆａｎｅｗｓｔｒｕｃｔｕｒｅＩＧＢＴ— ｎｅｗｌｙｐｒｏｐｏｓｅｄｉｓｆｉｒｓｔｌｙｐｒｏｃｅｓｓｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｏｎｔｈｅｆｏｕｎｄａｔｉｏｎｏｆｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌｎｏｎ－ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｌｌｅｃｔｏｒＩＧＢＴｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ａｌｏｃａｌｈｉｇｈｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｒｅｇｉｏｎｗｈｅｒｅｔｈｅｃａｒｒｉｅｒｓ’ｌｉｆｅｔｉｍｅｉｓｌｏｗｅｎｏｕｇｈｉｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｊｕｓｔｂｅｌｏｗｔｈｅｃｏｌｌｅｃｔｏｒｉｎｔｈｅｃｏｌｌｅｃｔｏｒｒｅｇｉｏｎ．Ｉｎｔｈｉｓｗａｙ，ａｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｌｌｅｃｔｏｒｉｓｒｅａｌｉｚｅｄｉｎｔｈｉｓｋｉｎｄｏｆＩＧＢＴ，ａｔｔｈｅｓａｍｅｔｉｍｅ，ａｖｏｉｄｉｎｇｔｈｅｄｉｆｆｉｃｕｌｔｔｅｃｈｎｉｃａｌｐｒｏｂｌｅｍｏｆｕｌｔｒａｔｈｉｎｗａｆｅｒｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｄｕｒｉｎｇｔｈｅｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｏｆｌｏｗｖｏｌｔａｇｅｔｒａｎｓ－ｐａｒｅｎｔｃｏｌｌｅｃｔｏｒＩＧＢＴ．Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｐｕｔｓｅｍｐｈａｓｉｓｏｎｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｅａｒｃｈｏｆｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄｔｕｒｎ－ｏｆｆｃｈａｒａｃ－ｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅ，ｃｏｍｐａｒｉｎｇｗｉｔｈｔｈｅｅｘｉｓｔｉｎｇＰＴ－ＩＧＢＴａｎｄＦＳ－ＩＧＢＴ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｔｈａｔｂｙｍｅａｎｓｏｆｐｒｏｐｅｒｌｙｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｎｇｔｈｅｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓ，ｎｏｔｏｎｌｙｄｏｅｓｉｎｔｅｒｎａｌｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｌｌｅｃｔｏｒＩＧＢＴｂｏａｓｔｐｏｓ－ｉｔｉｖｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆｓａｔｕｒａｔｉｏｎｖｏｌｔａｇｅ，ｂｕｔａｌｓｏｐｏｓｓｅｓｓｆａｓｔｔｕｒｎ－ｏｆｆｓｐｅｅｄ，ｆｕｌｆｉｌｌｉｎｇｔｈｅｅｘｃｅｌｌｅｎｔｐｅｒｆｏｒ－ｍａｎｃｅｏｆｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｌｌｅｃｔｏｒＩＧＢＴ． ＰＴ－ＩＧＢＴ；ＮＰＴ－ＩＧＢＴ；ｈｉｇｈｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｒｅｇｉｏｎKey words:ｉｎｔｅｒｎａｌｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｌｌｅｃｔｏｒ； 2008·12·（总第１１５期）２５ 设计 中国集成电路 China lnte gra te d Circult ＣＩＣ １引言 当前，电力电子已进入高压高频的时代；电压高达几千伏，频率高达几十千赫。ＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）兼顾了较低通态压降和较高的开关速度，且具有通态损耗和开关损耗都较低，又能承受高电压，因此成为电力电子应用领域的主流器件。 从１９８０年代初ＩＧＢＴ出现以后［１］，平面栅ＩＧＢＴ大致经历了三代技术：八十年代初的穿通型ＩＧＢＴ（Ｐｕｎｃｈ－ＴｈｒｏｕｇｈＩＧＢＴ，即ＰＴ－ＩＧＢＴ），１９８８年的非穿通型ＩＧＢＴ（Ｎｏｎ－Ｐｕｎｃｈ－ＴｈｒｏｕｇｈＮＰＴ－ＩＧＢＴ）［