工业硅化学分析方法 第5部分:杂质元素含量的测定 X荧光.docVIP

工业硅化学分析方法 第5部分:杂质元素含量的测定 X荧光.doc

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GB/T 14849.5—201X PAGE 4 ICS FORMTEXT 77.120.10 FORMTEXT H 12 中华人民共和国国家标准 GB/T FORMTEXT 14849.5— FORMTEXT 201X FORMTEXT 代替?GB/T 14849.5-2010 FORMTEXT 工业硅化学分析方法 第5部分:杂质元素含量的测定 工业硅化学分析方法 第5部分:杂质元素含量的测定 X-射线荧光光谱法 FORMTEXT Methods for chemical analysis of silicon metal— Part 5:Determination of impurity contents— X-ray fluorescence method FORMTEXT 点击此处添加与国际标准一致性程度的标识 FORMDROPDOWN FORMTEXT (2013-4-10) FORMTEXT xxxx - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX发布 FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX实施 GB/T 14849.5—201X PAGE I 前言 GB/T14849《工业硅化学分析方法》分为六部分: 第1部分:铁含量的测定 1,10-二氮杂菲分光光度法; 第2部分:铝含量的测定 铬天青-S分光光度法; 第3部分:钙含量的测定 火焰原子吸收光谱法、偶氮氯膦Ⅰ分光光度法; 第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱; 第5部分:杂质元素含量的测定 X射线荧光光谱法; 第6部分:碳含量的测定 红外吸收法; 第7部分:磷含量的测定 钼蓝分光光度法; 第8部分:碳含量的测定 PADAP分光光度法; 第9部分:钛含量的测定 二安替比林甲烷分光光度法。 本部分为第5部分。 本部分是对GB/T14849.5-2010《工业硅化学分析方法 第5部分:元素含量的测定 X射线荧光光谱法》的修订。 本部分与GB/T14849.5-2010相比,主要有如下变动: 增加了锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴的检测。 GB/T 14849.5-2010中样品应破碎通过0.074mm筛,改为样品粒度控制在1~4mm之间; GB/T 14849.5-2010中粘结剂硼酸改为淀粉; GB/T 14849.5-2010中压片压力20KN,保压时间20s,改为30吨压力下保压30s。 本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本部分由中国有色金属标准化委员会归口。 本部分负责起草单位:昆明冶金研究院、XXXX、XXXX、XXXX。 本部分参加起草单位: 本部分主要起草人: 工业硅化学分析方法 第5部分:杂质元素含量的测定 X射线荧光光谱法 范围 本标准规定了工业硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定方法。 本方法适用于工业硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定,测定范围见表1: 元素 质量分数% 元素 质量分数% 铁 0.020~1.50 铜 0.001~0.050 钙 0.010~1.00 磷 0.001~0.050 铝 0.050~1.00 镁 0.001~0.050 锰 0.0050~0.10 铬 0.001~0.050 镍 0.0010~0.10 钒 0.0005~0.050 钛 0.0050~0.10 钴 0.0001~0.050 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 8170-2008 数字修约规则与极限数值的表示和判定 方法提要 X射线荧光光谱法是通过化学元素二次激发所发射的X射线荧光光谱线的波长和强度测量来进行定性和定量分析。由光管发生的初级X射线束照射在试样上,试样内各化学元素被激发出各自的二次特征辐射,这种二次射线通过准直器到达分光晶体。只有普满足衍射条件的某个特定波长的辐射在出射晶体时得到加强,而其他波长的辐射被削弱。 该方法根据Bragg定理,即公式: …………………………………(1) 式中: n衍射级数; λ入射光束(特征辐射)的波长,单位为纳米(nm); d 晶体面间距,单位为厘米(cm); θ入射光与晶面间的夹角,单位为度(°)。 在定量分析时,首先测量系列标准样品的分析线强度,绘制强度对浓度的标准曲线,并进行必要的基体效应的数学校正,然后根据分析试样中元素谱线的强度求出元

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