集成电路材料结构和理论.ppt

双极型晶体管的四种运用状态 发射结 集电结 工作状态 1 正偏 反偏 放大 2 正偏 正偏 饱和 3 反偏 反偏 截止 4 反偏 正偏 反向 放大工作状态下双极型晶体管的电流分配 高掺杂发射区的大量电子注入到基区，形成电子电流IE 注入到基区的电子，成为基区的非平衡少子，继续向集电结方向扩散 在扩散的过程中，有少部分的电子与基区中的多子空穴复合、形成基极复合电流IB 大部分电子到达集电结边界，并在集电结电场吸引作用下，漂移到集电区形成集电极电子电流IC 电流放大倍数：?F=IC/IB §5. MOS晶体管的基本结构 MOS（金属-氧化物-半导体）场效应晶体管，简称为MOS管，其核心结构是由导体、绝缘体与构成管子衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起形成的三明治结构 这一结构的基本作用是：在半导体的表面感应出与原掺杂类型相反的载流子，形成一条导电沟道。 根据形成导电沟道的载流子的类型，MOS管被分为NMOS和PMOS。 集成电路中的MOS晶体管结构 NMOS晶体管基本结构与电路符号 PMOS晶体管基本结构与电路符号 CMOS工艺 所谓的CMOS则表示这样一种工艺和电路，其中NMOS和PMOS两种类型的MOS管制作在同一芯片上形成的电路结构。 如果没有任何外加偏置电压，这时，从漏到源是两个背对背的二极管。它们之间所能流过的电流就是二极管的反向漏电流。在栅电极下没有导电沟道形成。 如果把源漏和衬底接地，在栅上加一足够高的正电压，从静电学的观点看，这一正的栅电压将要排斥栅下的P型衬底中的可动的空穴电荷而吸引电子。电子在表面聚集到一定浓度时，栅下的P型层将变成N型层，即呈现反型层。N反型层与源漏两端的N型扩散层连通，就形成以电子为载流子的导电沟道。 如果漏源之间有电位差，将有电流流过。外加在栅电极上的正电压越高，沟道区的电子浓度也越高，导电情况也越好。 引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。 NMOS晶体管的基本工作原理 增强型和耗尽型MOS器件 根据阈值电压不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种器件。 对于N沟MOS器件而言，将阈值电压VT＞0 的器件称为增强型器件，阈值电压VT＜0 的器件，称为耗尽型器件。 PMOS器件和NMOS器件在结构上是一样的，只是源漏衬底的材料类型和NMOS相反，工作电压的极性也正好相反。 在CMOS电路里，全部采用增强型的NMOS和PMOS。 影响漏极电流Ids大小的因素 （1）源、漏之间的距离； （2）沟道宽度； （3）开启电压VT； （4）栅绝缘氧化层的厚度； （5）栅绝缘层的介电常数； （6）载流子（电子或空穴）的迁移率μ。 MOS管的正常导电的三个区域 (1) “夹断”区：这时的电流是源－漏间的泄漏电流； (2) “线性”区：弱反型区，这时漏极电流随栅压线性增加； (3) “饱和”区：沟道强反型，漏极电流与漏极电压无关。 截止区： Ids＝ 0， Vgs－VT≤0 线性区： Ids＝ ， 饱和区： Ids＝ ，0＜Vgs－VT＜ Vds MOS晶体管性能分析 MOS器件电压-电流特性 下次预习： 第3章 集成电路工艺简介 * aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa 集成电路材料、结构与理论 上次第1章 集成电路设计概述 §1. 集成电路的概念及分类 §2. 微电子科学与技术的发展历史 §3. 描述集成电路工艺水平的五个指标 §4. 集成电路设计与制造的主要流程框架 第2章 集成电路材料、结构与理论 §1. 集成电路材料 §2. 半导体基础知识 §3. PN结与结型二极管 §4. 双极型晶体管基本结构与工作原理 §5. MOS晶体管的基本结构与工作原理 集成电路材料—导体、半导体和绝缘体 电气系统 主要应用 导体 绝缘体 集成电路 制造应用 导体 半导体 绝缘体 集成电路结构 集成电路制造所应用到的材料分类 分 类 材 料 电导率 （S·cm-1） 导体 铝、金、钨、铜等金属，镍铬等合金 105 半导体 硅、锗、砷化镓、磷化铟、碳化镓等 10?9~102 绝缘体 SiO2(二氧化硅)、SiON(氮氧化硅)、Si3N4(氮化硅)等 10?22~10?14 铝、金、钨、铜等金属和镍铬等合金在集成电路工艺中的功能 （1）构成低值电阻； （2）构成电容元件的极板； （3）构成电感元件的绕线； （4）构成传输线（微带线和共面波导）的导体结构； （5）与轻掺杂半导体构成肖特基结接触； （6）与重掺杂半导体构成半导体器件的电极的欧姆接触； （7）构成元器件之间的互连； （8）构成与外界焊接用的焊盘。 绝缘体SiO2、Si