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超净扩散方阻异常分析;摘 要 ;排废
排废的变化对管内温度、气流、杂质源均有影响，但主要影响杂质源浓度。
排废过大：管内杂质源浓度降低，硅片P扩散不充分，方阻偏高，且气流速度加 快，片内均匀性较差；
排废过小：管内杂质源浓度相对偏高，P扩散过饱和，方阻偏低。
温度、时间
温度时间共同决定着结深，温度越高，扩散时间越长，反应更剧烈，硅片对P的吸收加强，P往内部的推结也越深，方阻越低。
D为扩散系数，Do为本征扩散系数，Ko为波尔兹曼常数，T为绝对温度；Xj为结深，A为常数。
;气体流量
大氮：整个扩散反应过程中的保护气体，它的变化将会导致炉管内温度以及气氛场强发生变化。大氮流量偏小导致气氛压强偏小，源浓度从炉尾到炉口呈梯度降低，炉尾到炉口方阻梯度升高；大氮偏高可能导致杂质源反应不充分，方阻偏高；同时大氮偏高导致气氛压强偏大，源浓度从炉口到炉尾呈梯度升高，炉尾到炉口方阻梯度降低。
小氮：小氮是携带杂质源的重要气体，它的变化将很大程度的影响扩散薄层电阻，小氮偏高则杂质源的浓度相对偏高， P扩散过饱和，方阻偏低。
小氧：小氧在整个工艺过程中起到了一个辅助的作用，通过先生成SiO2可以促使P的均匀分布减少由于扩散引起的缺陷，同样避免了直接扩散可能带来的死层现象。小氧偏高将会产生厚厚的氧化层阻碍P的扩散，小氧偏低将会使杂质源的反应不充分，且均匀性下降，两种情况均会导致方阻偏高。 ;气体未能通入炉管内反应;PS：大氮对方阻的影响暂时不确定需实验来验证; END THANKS
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