常用的半导体器件基本原理.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * (4-*) 建立小信号模型的意义 建立小信号模型的思路 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。 2.6 晶体三极管和场效应管的低频交流小信号简化模型 * (4-*) 三极管的微变等效电路 依据不同的推导方法，三极管的微变等效电路分为两类： 1、网络参数等效电路：（H参数等效电路） 将三极管看作一个二端口网络，画出其H参数等效模型 2、物理模型等效电路：（混合∏型等效电路） 是模拟晶体管物理结构，推导出的等效电路 注：第二种完全可以代替第一种，既可以分析高频电路，也 可以分析低频电路，第一种只能分析低频电路。 * (4-*) H方程与参数 * (4-*) H方程与参数 * (4-*) H方程与参数 * (4-*) * (4-*) 输入回路 iB uBE 当信号很小时，将输入特性在小范围内近似线性。 ?uBE ?iB 对输入的小交流信号而言，三极管相当于电阻rbe。 rbe的量级从几百欧到几千欧。 对于小功率三极管： * (4-*) 输出回路 (1) 输出端相当于一个受ib 控制的电流源 (2) 考虑 uCE对 iC的影响，输出端还要并联一个大电阻rce rce的含义 ?iC ?uCE iC UA uCE 0 * (4-*) iC uCE 近似平行 ?iC ?uCE * (4-*) ube ib uce ic ube uce ic rce很大， 一般忽略。 三极管的微变等效电路 rbe ?ib ib rce rbe ?ib ib b c e 等效 c b e * (4-*) hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe 即 rbe= hie ? = hfe uT = hre rce= 1/hoe 一般采用习惯符号 则BJT的H参数模型为 ? ib ic vce ib vbe uT vce rbe rce ? uT很小，一般为10-3?10-4 ， ? rce很大，约为100k?。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路 ? ? ib 是受控源 ，且为电流控制电流源(CCCS)。 ? 电流方向与ib的方向是关联的。 总结 * (4-*) 简化后的小信号模型 vBE vCE iB c e b iC BJT双口网络 * (4-*) 小信号模型的应用注意事项： ? H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。 ? H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。 ? H参数与工作点有关。 * (4-*) H参数的确定 其中对于低频小功率管 rb≈200? 则 而 (T=300K) * 2.6.1 晶体三极管的低频交流小信号模型 首先看 变化引起 的变化量体现在管子的输入电阻 2. 对 的控制作用 体现在受控源 3. 对 的影响 体现在管子的输出电阻 * --表示 对 的控制能力 * (4-*) G S D uGS iD uDS 跨导 漏极输出电阻 2.6.2 场效应管的低频交流小信号模型 * (4-*) 很大， 可忽略。 G S D vGS iD vDS S G D vgs gmvgs vds S G D rDS vgs gmvgs vds * 2.6.2 场效应管的低频交流小信号模型 * (4-*) 2）漏极内阻rds： rds 很大(几十千欧到几兆欧) 1） 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 * * * * * * * * * * * * 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 场效应管有两种: 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS * 2.5.1　结型场效应管 2.5　场效应管 * (4-*) S-----称为源极 D-----称为漏极 G-----称为栅极 电路符号 （N沟道） N型两侧高浓度扩散两个 ，形成 ，中间为导电沟道。 两个 引一个电极，N区引两电极S、D。 * 一、工作原理 饱和电流 IDSS 夹断电压UGS(off) 栅极电流 IG ? 0 输入阻抗很大 UGS增大?导电沟道变窄?ID减小 * 二、输出特性 恒流区(| uGS | ? | UGS(off) |且| uDG | = |